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IRF7832TRPBF F7832 SOP-8 IR原装公司 30V 20A 2N-CH

价 格: 1.98

品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF7832TRPBF
种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 耗尽型 用途 MOS-HBM/半桥组件
封装外形 CHIP/小型片状 材料 GE-N-FET锗N沟道
开启电压 30(V) 夹断电压 30(V)
跨导 20(μS) 极间电容 2(pF)
低频噪声系数 2(dB) 漏极电流 2000(mA)
耗散功率 100(mW)

規格書產品相片產品目錄繪圖標準包裝類別家庭系列FET型FET特點開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C漏極至源極的電壓(Vdss)電流 - 連續漏極(Id) @ 25° CId時的Vgs(th)(值)閘電流(Qg) @ VgsVds時的輸入電容(Ciss)功率 - 安裝類型封裝/外殼封裝供應商設備封裝產品目錄頁面其他名稱
IRF7832PbF
8-SOIC
IR Hexfet 8-SOIC
4,000
離散半導體產品
FET - 單路
HEXFET®
MOSFET N通道,金屬氧化物
邏輯電平閘極
4 毫歐姆 @ 20A, 10V
30V
20A
2.32V @ 250µA
51nC @ 4.5V
4310pF @ 15V
2.5W
表面黏著式
8-SOIC (0.154", 3.90mm寬)
編帶和捲軸封裝(TR)
8-SO
1533 (TW2010-11 PDF)
IRF7832PBFTR

深圳市长亮源科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 古苏波
  • 电话:755-88878818
  • 传真:755-88878818
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