品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRF7811AVTRPBF |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | MIN/微型 |
封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | GE-P-FET锗P沟道 |
开启电压 | 30(V) | 夹断电压 | 10(V) |
跨导 | 1020(μS) | 极间电容 | 20(pF) |
低频噪声系数 | 20(dB) | 漏极电流 | 012(mA) |
耗散功率 | 10(mW) |
IRF7811AVPbF |
8-SOIC |
IR Hexfet 8-SOIC |
4,000 |
離散半導體產品 |
FET - 單路 |
HEXFET® |
MOSFET N通道,金屬氧化物 |
邏輯電平閘極 |
14 毫歐姆 @ 15A, 4.5V |
30V |
10.8A |
3V @ 250µA |
26nC @ 5V |
1801pF @ 10V |
2.5W |
表面黏著式 |
8-SOIC (0.154", 3.90mm寬) |
編帶和捲軸封裝(TR) |
8-SO |
1533 (TW2010-11 PDF) |
IRF7811AVPBFTR IRF7811AVTRPBF-ND IRF7811AVTRPBFTR-ND |
品牌/商标 CL 型号/规格 CL6808 封装 SOT89-5 批号 2011+ 类型 驱动IC
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFP90N20DPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 DUAL/配对管 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 200(V) 夹断电压 200(V) 跨导 10(μS) 极间电容 404(pF) 低频噪声系数 104(dB) 漏极电流 94000(mA) 耗散功率 10000(mW)