| 品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRF7811AVTRPBF |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | MIN/微型 |
| 封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | GE-P-FET锗P沟道 |
| 开启电压 | 30(V) | 夹断电压 | 10(V) |
| 跨导 | 1020(μS) | 极间电容 | 20(pF) |
| 低频噪声系数 | 20(dB) | 漏极电流 | 012(mA) |
| 耗散功率 | 10(mW) |
| IRF7811AVPbF |
| 8-SOIC |
| IR Hexfet 8-SOIC |
| 4,000 |
| 離散半導體產品 |
| FET - 單路 |
| HEXFET® |
| MOSFET N通道,金屬氧化物 |
| 邏輯電平閘極 |
| 14 毫歐姆 @ 15A, 4.5V |
| 30V |
| 10.8A |
| 3V @ 250µA |
| 26nC @ 5V |
| 1801pF @ 10V |
| 2.5W |
| 表面黏著式 |
| 8-SOIC (0.154", 3.90mm寬) |
| 編帶和捲軸封裝(TR) |
| 8-SO |
| 1533 (TW2010-11 PDF) |
| IRF7811AVPBFTR IRF7811AVTRPBF-ND IRF7811AVTRPBFTR-ND |
品牌/商标 CL 型号/规格 CL6808 封装 SOT89-5 批号 2011+ 类型 驱动IC
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFP90N20DPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 DUAL/配对管 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 200(V) 夹断电压 200(V) 跨导 10(μS) 极间电容 404(pF) 低频噪声系数 104(dB) 漏极电流 94000(mA) 耗散功率 10000(mW)