品牌/商标 | FAIRCHILD | 型号/规格 | FQPF2N60/FQP2N60C |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | HF/高频(射频)放大 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 600(V) | 夹断电压 | 1200(V) |
跨导 | 0(μS) | 极间电容 | 0(pF) |
低频噪声系数 | 0(dB) | 漏极电流 | 0(mA) |
耗散功率 | 0(mW) |
品牌/商标 POWER 型号/规格 LNK304PN 封装 DIP-8 批号 06年 制作工艺 半导体集成 导电类型 双极型 规格尺寸 10(mm) 工作温度 -40~85(℃) 静态功耗 100(mW) 类型 电源模块 我公司供应POWER节能型开关电源电路LNK304PN,封装为DIP-8,LNK304能够以连续导电模式提供170 mA电流,它得益于能实现通用输入、12V/120 mA输出的降压转换器的参考设计和评估板(EP48)。该芯片集成了一只700V的 MOSFET,还有以固定 66 kHz 速率作导通元件切换的控制电路,以一只标准的 1mH 电感提供高达 120 mA 电流。芯片根据反馈信号来跳跃开关周期,从而对输出电压进行稳压,并通过内部电流设定限制了电感峰值电流。这种结构与传统的 PWM 控制器不同,后者是改变开关的占空比。在没有任何反馈超过 50 ms 时,芯片进入自己...
品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 FGA25N120ANTD 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 1200(V) 夹断电压 1600(V) 跨导 1(μS) 极间电容 1(pF) 低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 20(mA) 耗散功率 1(mW)