仙童原装FQB8N60/FQB8N6TM 增强型MOS管N沟道
| 价 格： | 3.80 |
| 品牌/商标 | FAIRCHILD/仙童 | 型号/规格 | FQB8N60 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | L/功率放大 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | ALGaAS铝镓砷 |
| 开启电压 | 具体数据以原装为准（V） | 夹断电压 | 具体数据以原装为准（V） |
| 低频跨导 | 具体数据以原装为准（μS） | 极间电容 | 具体数据以原装为准（pF） |
| 低频噪声系数 | 具体数据以原装为准（dB） | 漏极电流 | 具体数据以原装为准（mA） |
| 耗散功率 | 具体数据以原装为准（mW） |
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场效应管 SI4539ADY-T1-E3
信息内容：品牌/商标 威世 型号/规格 SI4539ADY-T1-E3 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 配置:Dual Dual Drain 晶体管极性:N and P-Channel封装 / 箱体:SO-8 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.036 Ohms汲极/源极击穿电压:- 30 V 闸/源击穿电压:+/- 20 V漏极连续电流:5.9 A 功率耗散:1.1 W工作温度:+ 150 C 封装:Reel最小工作温度:- 55 C
DSP 芯片：TMS320LF2406APZA
信息内容：品牌/商标 TI 型号/规格 TMS320LF2406APZA 批号 10+ 封装 LQFP-100 营销方式 厂家直销 产品性质 热销 处理信号 数字信号 制作工艺 半导体集成 导电类型 双极型 集成程度 特大规模 规格尺寸 详见描述（mm） 工作温度 -40~125（℃） 静态功耗 详见描述（mW） 类型 单片机
