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增强型MOS管N沟道 AP9974AGH

价 格: 1.00

品牌/商标 APEC 型号/规格 AP9974AGH-HF
种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 MIN/微型
封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 GE-N-FET锗N沟道
开启电压 TO-252(V) 夹断电压 .(V)
跨导 .(μS) 极间电容 .(pF)
低频噪声系数 .(dB) 漏极电流 .(mA)
耗散功率 .(mW)

长期优势供应APEC全系列MOS管:

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AP9962H/J

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AP9972GP,增强型MOS管N沟道

信息内容:

品牌/商标 APEC 型号/规格 AP9972GP 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 60v/60a(V) 夹断电压 .(V) 极间电容 .(pF) 低频噪声系数 .(dB) 漏极电流 .(mA) 耗散功率 .(mW) 全新原装富鼎,现货120K优势供应AP1331UAP1332EUAP13P15GSAP15N03GJAP15N03GPAP15T03HAP15P10GPAP15P10GSAP20P02HAP20N02JAP20N03PAP2305ANAP2306ANAP2307GNAP2309GNAP2310GNAP2311N / GNAP2312GNAP2316GNAP2318GENAP2451GYAP2531GYAP2602YAP2603GYAP2604GYAP2605GYAP2623GYAP2625GYAP2732GKAP2761I-AAP2851G...

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AP2311GN

信息内容:

品牌/商标 APEC 型号/规格 AP2311GN 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 NPN型 击穿电压VCBO .(V) 集电极允许电流ICM .(A) 集电极耗散功率PCM .(W) 截止频率fT .(MHz) 结构 扩散型 封装形式 贴片型 封装材料 其他 优势供应富鼎全系列产品:AP25G45EMAP28G45GEMAP30G120WMOSFETsAP9469MAP2315ENAP9930MAP9475MAP2316NAP9487MAP9477MAP2318ENAP9932MAP9478MAP2N7002KAP4411MAP9479MAP4527N3AP9934MAP9685MAP9920EOAP2030SDAP4413MAP9922EOAP9960(S)DAP9620MAP6800EOAP4226DAP4407AMAP9926OAP4435DAP4407MAP9926EOAP4501SDAP4409MAP9928EOAP4435MAP20G45EHAP25G45GEMAP30G100WAP20G45EJAP28G45EMAP30G120SWAP25G45EMAP28G45...

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