全新原装IGBT管IRG4PH20KPBF 11A 1200V 60W N沟
| 价 格： | 7.50 |
| 品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRG4PH20KPBF |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | CC/恒流 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | IGBT绝缘栅比极 |
| 开启电压 | 3.17（V） | 夹断电压 | 1200（V） |
| 低频跨导 | 1（μS） | 极间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | 漏极电流 | 11000（mA） |
| 耗散功率 | 60000（mW） |
全新原装IGBT 11A 1200V 60W N沟
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Short Circuit Rated UltraFast IGBT
Features
Benefits
• High short circuit rating optimized for motor control,
tsc =10µs, VCC = 720V , TJ = 125°C,
VGE = 15V
• Combines low conduction losses with high
switching speed
• Latest generation design provides tighter parameter
distribution and higher efficiency than previous
generations
• As a Freewheeling Diode we recommend our
HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery diodes for
minimum EMI / Noise and switching losses in the
Diode and IGBT
• Latest generation 4 IGBT's offer highest power
density motor controls possible
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 罗少聪
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二三极管IC可控硅场效应IGBT
信息内容：品牌/商标 ADI 型号/规格 AD7705BNZ 批号 0945+ 封装 DIP-16 营销方式 现货 产品性质 热销 处理信号 模拟信号 制作工艺 半导体集成 类型 驱动IC
BTA24-800BW 全新无铅 双向可控硅
信息内容：品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 BTA24-800BW 应用范围 开关 功率特性 中功率 频率特性 中频 极性 NPN型 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 TO-220 封装材料 塑料封装 截止频率fT 1（MHz） 集电极允许电流ICM 24（A） 集电极耗散功率PCM 1（W） 营销方式 代理 产品性质 热销 型号: BTA24-800BW品牌: ST规格:TO-220备注:双向可控硅电流24A 耐压800V原装全新无铅,货期一周. 鸿波电子(深圳)有限公司海外总部设在全球经济最活跃的香港上环，成立了奥克实业(香港)有限公司，大陆总部设在高新科技产业...
