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全新原装IGBT管IRG4PH20KPBF 11A 1200V 60W N沟

价 格: 7.50

品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRG4PH20KPBF
种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 CC/恒流
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 IGBT绝缘栅比极
开启电压 3.17(V) 夹断电压 1200(V)
低频跨导 1(μS) 极间电容 1(pF)
低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 11000(mA)
耗散功率 60000(mW)

全新原装IGBT 11A 1200V 60W N沟

 

 

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

 

Short Circuit Rated UltraFast IGBT

 

 

Features
Benefits
• High short circuit rating optimized for motor control,
  tsc =10µs,  VCC = 720V ,  TJ = 125°C,
  VGE = 15V
• Combines low conduction losses with high
  switching speed
• Latest generation design provides tighter parameter
  distribution and higher efficiency than previous
  generations
• As a Freewheeling Diode we recommend our
  HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery diodes for
  minimum EMI / Noise  and switching  losses in the
  Diode  and IGBT
• Latest generation 4 IGBT's offer highest power
  density motor controls possible

 

 









 

深圳市谷度科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 罗少聪
  • 电话:755-83013455
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