场效应管WFP830
| 价 格： | 0.03 |
| 品牌/商标 | Wisdom | 型号/规格 | WFP830 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 0.1（V） | 夹断电压 | 0.1（V） |
| 低频跨导 | 0.1（μS） | 极间电容 | 0.1（pF） |
| 低频噪声系数 | 0.1（dB） | 漏极电流 | 0.1（mA） |
| 耗散功率 | 0.1（mW） |
韩国进口产品现货、质量稳定、价格合理
现货长期供应全新场效应管场效应管WFP830,质量保证.随时有货.有实力的公司可以月结.欢迎来电
WFP830 TO-220 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。
∗ 5A，500V，RDS(on)=1.5Ω@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
WFP830 TO-22O N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。
∗ 5A，500V，RDS(on)=1.5Ω@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
- 所属城市：广东 深圳
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场效应管HX1N60 TO-251 TO-252
信息内容：品牌/商标 HX(环鑫) 型号/规格 HX 1N60 TO-251 TO-252 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0.1（V） 夹断电压 0.1（V） 低频跨导 0.1（μS） 极间电容 0.1（pF） 低频噪声系数 0.1（dB） 漏极电流 0.1（mA） 耗散功率 0.1（mW）
场效应管50N06
信息内容：品牌/商标 Wisdom 型号/规格 WFP50N06 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0.1（V） 夹断电压 0.1（V） 极间电容 0.1（pF） 低频噪声系数 0.1（dB） 漏极电流 0,1（mA） 耗散功率 0.1（mW） 韩国进口产品现货、质量稳定、价格合理现货长期供应全新场效应管场效应WFP50N06,质量保证.随时有货.有实力的公司可以月结.欢迎来电WFP50N06 TO-220 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产...
