1V5KE62A - DIODE, TVS, 62集成电路IC
| 价 格： | 1.89 |
| 品牌/商标 | 仙童 | 型号/规格 | 1V5KE62A - DIODE, TVS, 62V, 1500W |
| 批号 | 08+ | 封装 | DO-201AE |
| 营销方式 | 库存 | 产品性质 | 热销 |
| 类型 | 通信IC |
- 所属城市：上海 上海市
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 侯林
- 电话：21-58217591
- 传真：21-58217591
- 手机：
- QQ ：
FDC6306P - MOSFET, DUAL,增强型MOS管P沟道
信息内容：品牌/商标 仙童半导体 型号/规格 FDC6306P - MOSFET, DUAL, PP, SUPERSOT-6 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型
SI9933BDY - MOSFET, DUAL,
信息内容：品牌/商标 VISHAY 型号/规格 SI9933BDY - MOSFET, DUAL, PP, SO-8 批号 08+ 封装 SO-8 营销方式 现货 产品性质 热销 类型 通信IC DescriptionMOSFET, DUAL, PP, SO-8Transistor Polarity:Dual PMax Current Id:-3.6AMax Voltage Vds:20VOn State Resistance:0.06ohmRds Measurement Voltage:-4.5VTyp Voltage Vgs th:-1.4VPower Dissipation:1.1WOperating Temperature Range:-55°C to +150°CTransistor Case Style:SOICNo. of Pins:8Case Style:SOICMax Junction Temperature Tj:150°CMin Junction Temperature, Tj:-55°CNo. of Transistors:2Termination Type:SMDTransistor Type:MOSFETCont Current Id:3.6AMax Voltage Vgs:-12VOn State Resistance @ Vgs = 2.5V:0.1ohmOn State Resistance @ Vgs = 4.5V:0.06ohmP Channel Gate Charge:6nCPower Dissipation Pd:1.1WPulse Curr...
