价 格: | 200.00 | |
型号/规格: | 0603-2225 | |
品牌/商标: | HEC(禾伸堂) | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 盒带编带包装 | |
产品主要用途: | 工业电力电气设备 | |
引出线类型: | 无引出线 | |
特征: | 长方型 | |
标称容量范围: | uf | |
额定电压范围: | V | |
温度系数范围: | ℃ |
工作温度范围: -55~125℃
额定电压: 100VDC~3000VDC
温度特性: NPO:≤±30ppm/℃,-55~125℃(EIA:Class I)
X7R:≤±15%,-55~125℃(EIA:Class II)
容量范围: NPO:2pF to 100nF;X7R:150pF to 2.2uF
损失角正切(tanδ): NPO:Q≥1000;X7R:D.F.≤2.5%
绝缘电阻: 10GΩ 或 500/C Ω 取两者最小值
老化速率: NPO:1%;X7R:2.5% 一个decade时间
介质电耐电压: 100V ≤ V <500V :200%
额定电压 :500V ≤ V <1000V :150%
额定电压 :1000v≤
SMD高压贴片电容价格
LED灯常用高压贴片和大容量贴片电容
高压陶瓷贴片电容-可代替传统插件电容缩小电源体积(LED电源专用)
规格主要有:
102/1KV 1206封装
222/1KV 1206封装
472/1KV 1206封装
103/1KV 1206封装
2.2u/100V 1812封装
473/250V 1206封装
473/630V 1206封装
10u/16V 1206封装
10u/25V 1210封装
22u/10V 1206封装
22U/16V 1210封装
更多规格欢迎查询和索样~
以上都为X7R或X5R材质,容量精度为10%
LED阻容降压用-(代替插件CBB)
250V 224 1812封装
250V 334 1812封装
250V 474 1812封装
250V 684 1812封装
250V 105 1812封装
500V 224 1812封装
400V 474 1812封装
400V 105 2220封装
以上都为X7R材质,耐125度高温
13530153691—肖先生 QQ:13174191
无极灯
我司生产高压高频贴片电容-高频无极灯专用(代替CBB)
规格主要有:
1KV NP0 101 221 331 471 102。
100P 3KV NP0 1808/1812封装
220P 3KV NP0 1808或1812封装-
820P 2KV NP0 1812封装
102 2KV NP0 1812封装
100P 1KV NP0 1206封装
220P 1KV NP0 1206封装
470P 1KV NP0 1206封装
102 1KV NP0 1206封装
0.47u 100V X7R 1206封装
0.68u 100V X7R 1206封装
更多规格欢迎查询和索样!
节能灯
高压贴片电容-代替插件瓷片和薄膜电容缩小体积(节能灯专用)
规格主要有:
223/100V 1206封装
102/1KV 1206封装
152/1KV 1206封装
332/1KV 1206封装
222/1KV 1206封装
250V/473 1206封装
400V/104 1210封装
更多规格欢迎查询和索样~
13530153691—肖先生 QQ:13174191
HID灯 常用高压贴片电容和大容量贴片电容规格如下 :
1KV 100p 1206封装
1KV 221 1206封装
1KV 102 1206封装
1KV 222 1206封装
1KV 472 1206封装
1KV 103 1206封装
630V 104 1812封装
10U/25V 1210封装
10U/50V 1210封装
以上都为陶瓷X7R材质,耐温-55-125度。
损耗(DF)小于2。5%
可代替传统插件瓷片和CBB以及铝电解缩小体积
更多规格欢迎查询和索样~
13530153691—肖先生 QQ:13174191
详细请资询:13530153691—肖先生 QQ:13174191 1利用贴片陶瓷电容器介质层的薄层化和多层叠层技术,使电容值大为扩大2·单片结构保证有的机械性强度及可靠性2极高的精确度,在进行自动装配时有高度的准确性4因仅有陶瓷和金属构成,故即便在高温,低温环境下亦无渐衰的现象出现,具有较强可靠性与稳定性5低集散电容的特性可完成接近理论值的电路设计6残留诱导系数小,确保上佳的频率特性7因电解电容器领域也获得了电容,故使用寿命延长,更造于具有高可靠性的电源8由于ESR低,频率特性良好,故最适合于高频,高密度类型的电源 高压贴片电容 高压贴片电容又名陶瓷多层片式电容器,是一种用陶瓷粉生产技术, 内部为贵金属钯金,用高温烧结法将银镀在陶瓷上作为电极制成。 产品分为高频瓷介NPO(COG)和低频瓷介X7R两种材质。 NPO具有小的封装体积,高耐温度系数的电容,高频性能好, 用于高稳定振荡回路中,作为电路滤波电容。X7R瓷介电容器限于在工作普通频率的回路中作旁路或隔直流用, 或对稳定性和损耗要求不高的场合,这种电容器不宜使用在交流(AC)脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿, 所以不建义使用在交流电路中。 高压...
详细请资询:13530153691—肖先生 QQ:13174191 1利用贴片陶瓷电容器介质层的薄层化和多层叠层技术,使电容值大为扩大2·单片结构保证有的机械性强度及可靠性2极高的精确度,在进行自动装配时有高度的准确性4因仅有陶瓷和金属构成,故即便在高温,低温环境下亦无渐衰的现象出现,具有较强可靠性与稳定性5低集散电容的特性可完成接近理论值的电路设计6残留诱导系数小,确保上佳的频率特性7因电解电容器领域也获得了电容,故使用寿命延长,更造于具有高可靠性的电源8由于ESR低,频率特性良好,故最适合于高频,高密度类型的电源 性能参数: 材质NPO(COG).X7R.X5R.Y5V 容量0.1PF-100PF-1NF-1UF-100UF 电压6.3V-100V-1KV-2KV-5KV 封装0201-0805-1206-1812-2225 工作温度范围: -55~125℃ 额定电压: 100VDC~3000VDC 温度特性: NPO:≤±30ppm/℃,-55~125℃(EIA:Class I) X7R:≤±15%,-55~125℃(EIA:Class II) 容量范围: NPO:2pF to 100nF;X7R:150pF to 2.2uF 损失角正切(tanδ): NPO:Q≥1000;X7R:D.F.≤2.5% 绝缘电阻: 10GΩ 或 500/C Ω 取两者最小值 老化速率: NPO:1%;X7R:2.5% 一个decade时间 介质电耐电压...