价 格: | 面议 | |
型号/规格: | UTC UD4606 | |
品牌/商标: | UTC UD4606 | |
封装形式: | 000 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 直插式 | |
包装方式: | 盒带编带包装 | |
功率特征: | |
双增强模式(N-CHANNEL/P-CHANNEL)
UTC UD4606提供优良的RDS(ON)和低门收取使用先进的沟槽技术的MOSFET。 “
互补的MOSFET,可帮助形成一个层次转向高侧开关,也为许多其他应用程序。
双增强模式(N-CHANNEL/P-CHANNEL)在UTC,UD4614可以提供优良的RDS(ON)和低门收取使用先进的沟槽技术的MOSFET。 “H桥逆变器和其他可用于UTC UD4614应用。* N-通道:40V/6A=23.2mΩ的RDS(ON)(典型值)的VGS= 10V32.6mΩ的RDS(ON)(典型值)的VGS= 4.5V* P通道:-40V/-5A=34.7mΩ的RDS(ON)(典型值)的VGS=-10V=50.6mΩ的RDS(ON)(典型值)的VGS=-4.5V*超高密度的单元设计*可靠耐用
N-通道增强模式这UD4809 N沟道MOSFET使用UTC先进的工艺已针对状态阻力最小,但维持低栅极电荷尤其是出色的开关性能。UD4809是适用于需要在一个非常小的低功率损耗概述了表面贴装封装,如低电压和电池,供电的应用。