加速度位移称重传感器
| 价 格： | 1.00 | |
| 型号/规格： | CYY | |
| 品牌/商标： | VTI |
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振动加速度传感
一 简介 CYY-JSD加速度传感器是我公司自行研制，用于测量加速度的传感器。它采用进口高精度MEMS芯片，具有BIMOS信号限制电路。设计考虑多用户的需求，制造采用表贴工艺技术。具有高可靠性和高封装坚固性，并具有自检测功能，可实现（Built-In-Test）检测。
本产品可用于汽车测控、惯性导航、飞行器安全系统、地震监控、倾斜、速度和位置的惯性、振动和冲击试验台加速度的测量等系统中。
二 原理
CYY-JSD系列振动加速度传感器是建造在硅晶片顶部的表面MEMS多硅结构。多晶硅簧片悬浮在晶片表面的结构，并提供一个克服加速度感应力的阻力。用包含两个独立的固定板和一个与运动质块相连的中央板形成的差动电容器机构来测量比例于加速度的多硅结构的偏转，从而产生电压输出信号。
三 技术条件
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型号 |
CYY-JSD01① |
CYY-JSD02 | ||
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轴数 |
单 |
双 | ||
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供电要求 | ||||
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供电电压（V.dc） |
5±5％ |
5±5％ | ||
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输入电流（mA） |
2 |
2 | ||
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性能参数 | ||||
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测量范围(g) |
±5 |
±10 | ||
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零g偏置电压(V) |
+2.5±0.1 |
+2.5±0.1注② | ||
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输出灵敏度（mV／ｇ） |
250 |
100 | ||
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偏置温漂(ｇ) |
50mv |
2.0 | ||
|
非线性度(％FS) |
0.2 |
0.2 | ||
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分辨力(g) |
2×10-3 |
5×10-3 | ||
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带宽(KHZ,max) |
10 |
5 | ||
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噪声密度（g/） |
225 |
500 | ||
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自检测（Self-Test） |
|
| ||
|
ST输入电压(V) |
+5 |
+5 | ||
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输出响应(V,敏感轴向) |
2.6～3.0 |
2.1∽2.7 | ||
|
启动时间(ms) |
0.7 |
2 | ||
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工作环境 | ||||
|
使用温度(℃) |
-40～+85注③ |
-40～+85 | ||
|
耐加速度 |
|
| ||
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任意轴,不供电,0.5ms(g) |
1000 |
1000 | ||
|
任意轴,供电,0.5ms(g) |
500 |
500 | ||
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重量体积 | ||||
|
重量(g) |
﹤35 | |||
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体积 |
28×28×16(指单双轴) | |||
注: ①CYY-JSD01振动加速度传感器的代号CYY-JSD02后的1、2分别表示两种不同的型号：
1——表示是单轴；2——表示是双轴。单轴振动加速度传感器可选±5g、±25g、±50g、±100g;双轴振动加速度传感器可选用±2g、±10g、±50g。
②指无外界加速度时，输出电压标准值，该值在确定的环境条件下应是确定值。
③ 这里指工业用工作温度范围，也可选商用工作温度范围：
0℃ ～ +70℃.
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信息内容：振动加速度传感 一 简介 CYY-JSD加速度传感器是我公司自行研制，用于测量加速度的传感器。它采用进口高精度MEMS芯片，具有BIMOS信号限制电路。设计考虑多用户的需求，制造采用表贴工艺技术。具有高可靠性和高封装坚固性，并具有自检测功能，可实现（Built-In-Test）检测。 本产品可用于汽车测控、惯性导航、飞行器安全系统、地震监控、倾斜、速度和位置的惯性、振动和冲击试验台加速度的测量等系统中。 二 原理 CYY-JSD系列振动加速度传感器是建造在硅晶片顶部的表面MEMS多硅结构。多晶硅簧片悬浮在晶片表面的结构，并提供一个克服加速度感应力的阻力。用包含两个独立的固定板和一个与运动质块相连的中央板形成的差动电容器机构来测量比例于加速度的多硅结构的偏转，从而产生电压输出信号。 三 技术条件 型号 CYY-JSD01① CYY-JSD02 轴数 单 双 供电要求 供电电压（V.dc） 5±5％ 5±5％ 输入电流（mA） 2 2 性能参数 测量范围(g) ±5 ±10 零g偏置电压(V) +2.5±0.1 +2.5±0.1注② 输出灵敏度（mV／ｇ） 250 100 偏置温漂(ｇ) 50mv 2.0 非...
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信息内容：振动加速度传感 一 简介 CYY-JSD加速度传感器是我公司自行研制，用于测量加速度的传感器。它采用进口高精度MEMS芯片，具有BIMOS信号限制电路。设计考虑多用户的需求，制造采用表贴工艺技术。具有高可靠性和高封装坚固性，并具有自检测功能，可实现（Built-In-Test）检测。 本产品可用于汽车测控、惯性导航、飞行器安全系统、地震监控、倾斜、速度和位置的惯性、振动和冲击试验台加速度的测量等系统中。 二 原理 CYY-JSD系列振动加速度传感器是建造在硅晶片顶部的表面MEMS多硅结构。多晶硅簧片悬浮在晶片表面的结构，并提供一个克服加速度感应力的阻力。用包含两个独立的固定板和一个与运动质块相连的中央板形成的差动电容器机构来测量比例于加速度的多硅结构的偏转，从而产生电压输出信号。注: ①CYY-JSD01振动加速度传感器的代号CYY-JSD02后的1、2分别表示两种不同的型号： 1——表示是单轴；2——表示是双轴。单轴振动加速度传感器可选±5g、±25g、±50g、±100g;双轴振动加速度传感器可选用±2g、±10g、±50g。 ②指无外界加速度时，输出电压标准值，该值在确定的环境条件下应是确定值。 ③ 这里指工业用工作温度范围，也可选商用工作温度范围： 0℃ ～ ...
