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Z2306采用了先进的沟槽技术提供优良的RDS(ON),低栅极电荷和低至1.8V的栅极电压的操作。这设备适合作为负荷开关或使用在PWM应用。
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这P沟道增强型功率FET生产的高密度,DMOS的沟槽技术,这是特别用来限度地减少通态电阻。该设备特别适用于低电压应用如便携式设备,电源管理和其他电池供电的电路,低功率损耗需要在一个非常小的轮廓表面贴装封装。
Z3400/一个结合了先进的沟槽MOSFET提供低电阻封装技术极低的RDS(ON)。这个装置是适合作为负荷开关或PWM应用。
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