品牌/商标 | MOSPEC | 型号/规格 | F16C20C |
产品类型 | 快恢复二极管 | 结构 | 点接触型 |
材料 | 硅(Si) | 封装形式 | 直插型 |
封装材料 | 金属封装 | 功率特性 | 大功率 |
频率特性 | 超高频 | 发光颜色 | 电压控制 |
LED封装 | 加色散射封装(D) | 出光面特征 | 组合型 |
发光强度角分布 | 散射型 | 正向直流电流IF | 16(A) |
反向电压 | 200(V) |
MUR3020WT
t rr = 35ns
IF(AV) = 30Amp
VR = 200V
Features
Ultrafast Rectifier
• Ultrafast Recovery Time
• Low Forward Voltage Drop
• Low Leakage Current
• 175°C Operating Junction Temperature
TO-247AC
Description/ Applications
nternational Rectifier's MUR.. series are the state of the art Ultra
ast recovery rectifiers specifically designed with optimized
performance of forward voltage drop and ultra fast recovery time.
The planar structure and the platinum doped life time control,
guarantee the best overall performance, ruggedness and reliability
characteristics.
These devices are intended for use in the output rectification
stage of SMPS, UPS, DC-DC converters as well as free-wheeling
diode in low voltage inverters and chopper motor drives.
Their extremely optimized stored charge and low recovery
current minimize the switching losses and reduce over dissipation
n the switching element and snubbers.
Package Outline
2
BASE
COMMON
CATHODE
123
ANODE COMMON
CATHODE
ANODE
12
品牌/商标 TOSHIBA 型号/规格 K2847,K2995 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 DC/直流 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 1(V) 夹断电压 1(V) 低频跨导 1(μS) 极间电容 1(pF) 低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 1(mA) 耗散功率 1(mW) 批发与零售世界各DIP、SMD集成电路,三极管,电解电容,桥堆,场效应,肖特基,快恢复管等拆机电子元器件。型号齐全,货源充足,一直本着“质量、信誉至上、以诚待人、价格合理、交货快捷”的经...
品牌/商标 NEC 型号/规格 K1502,K2368,K2488 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 1(V) 夹断电压 1(V) 低频跨导 1(μS) 极间电容 1(pF) 低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 1(mA) 耗散功率 1(mW) 产品主要用于高低压节能灯,应急灯,充电器,逆变器,电子镇流器,适配器,开关电源,控制器,电视机,雾化器,加湿器,防盗器,电子玩具,民用功放,音响,汽车功放,有源音响等 型号 电压(V)电流...