SS12 肖特基整流器20-100V,1A
| 价 格： | 0.10 |
| 品牌/商标 | Vishay威世 | 型号/规格 | SS12 |
| 产品类型 | 肖特基管 | 结构 | 点接触型 |
| 材料 | 锗(Ge) | 封装形式 | 贴片型 |
| 封装材料 | 塑料封装 | 功率特性 | 小功率 |
| 频率特性 | 低频 | 正向直流电流IF | 1A（A） |
| 反向电压 | 20-100V,（V） |
RS1A 表面装贴快速开关整流器,反向电压-50至800V,正向电流-1.0A
RS2A 表面贴装快速开关整流器
RS3A 表面装贴快速开关整流器,反向电压-50至800V,正向电流-3.0A
S1A 表面贴装整流器,电压-50至1000V,电流-1.0A
S2A 表面装贴整流器,电压-50至1000V,电流-2.0A
S3A 表面装贴整流器,电压-50至1000V,电流-3.0A
US1D 表面装贴超快整流器,电压-50至800V,电流-1.0A
US2D 表面装贴超快整流器,电压50至1000V,电流2.0A
US3D 表面装贴超快整流器,电压50至400V,电流3.0A
SMAJ100A 400W,瞬变抑制二极管
SMBJ100A 600W,瞬变抑制二极管
SMCJ100A 1500W,瞬变抑制二极管
SS12 肖特基整流器20-100V,1A
SS22 肖特基整流器
1SMA5913BT3G 表面贴装稳压二极管,-3.3-68V,1.5W-安森美半导体
1SMA10AT3G 功率稳压管瞬态电压抑制器,5.0-78V,400W-安森美半导体
1SMB5918BT3G 表面贴装稳压二极管,3.3-200V,3W-安森美半导体
1SMB10AT3G 功率稳压管瞬态电压抑制器,5.0-170V,600W-安森美半导体
1SMB10CAT3 功率稳压管瞬态电压抑制器,10-78V,600W-安森美半导体
1SMC10AT3G 功率稳压管瞬态电压抑制器,5.8-78,1500W-安森美半导体
1.5SMC6.8AT3 功率稳压管瞬态电压抑制器单向5.8-78,1500W-安森美半导体
MURA115T3G 超高速整流器1A，输入电压100-200V-安森美半导体
MURS105T3G 超高速整流器1A，输入电压50-600V-安森美半导体
P6SMB100AT3G 功率稳压管瞬态电压抑制器,5.8-171V,600W-安森美半导体
P4SMA100A 400W,表面贴装瞬态电压抑制器
| SS12 | VISHAY | 09+ | DO-214AC |
| SS13 | VISHAY | 09+ | DO-214AC |
| SS14 | VISHAY | 09+ | DO-214AC |
| SS16 | VISHAY | 09+ | DO-214AC |
| SS18 | VISHAY | 09+ | DO-214AC |
| SS110 | VISHAY | 09+ | DO-214AC |
| SS22 | VISHAY | 09+ | SMB |
| SS24 | VISHAY | 09+ | SMB |
| SS26 | VISHAY | 09+ | SMB |
| SS32 | VISHAY | 09+ | SMA.B.C |
| SS34 | VISHAY | 09+ | SMA.B.C |
| SS36 | VISHAY | 09+ | SMA.B.C |
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 蔡明柱
- 电话：0755-83989814
- 传真：0755-83989814
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BTS247Z 高速TEMPFET（N沟道,
信息内容：品牌/商标 Infineon英飞凌 型号/规格 BTS247Z 应用范围 开关 功率特性 大功率 频率特性 高频 极性 NPN型 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 树脂封装 营销方式 现货 产品性质 热销 BTS247Z 高速TEMPFET（N沟道,逻辑电平输入,温度传感器）完整型号:BTS247Z产品封装:TO-263/TO-220最小包装:1000/盘,管装产品特点1.N沟道2.增强模式3.逻辑电平输入4.快速切换到1兆赫5.无电位温度传感器晶闸管6.过温保护7.额定雪崩infineon热销现货BTS50085-1TMABTS50085-1TMBBTS50080-1TMABTS50080-1TMBBTS50055-1TMCBTS50055-1TMBBTS50055-1TMAICE3B5065PICE3B5065IICE3B5565PICE3B5565IICE3B3565PICE3B3565IICE3B3065P...
长期稳压二极管 BTS442E2
信息内容：产品类型 稳压管 品牌/商标 Infineon 型号/规格 BTS442E2 结构 点接触型 材料 锗(Ge) 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 功率特性 大功率 频率特性 高频 反向电压VR 1（V） 正向直流电流IF 1（mA）
