原装STP65NF06结型场效应管N沟道
| 价 格： | 1.00 |
| 品牌/商标 | ST意法半导体 | 型号/规格 | STP65NF06 |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 标称（V） | 夹断电压 | 标称（V） |
| 低频跨导 | 标称（μS） | 极间电容 | 标称（pF） |
| 低频噪声系数 | 标称（dB） | 漏极电流 | 标称（mA） |
| 耗散功率 | 标称（mW） |
ST全新原装，环保无铅
类别 | 分离式半导体产品-MOSFET，GaNFET-单 |
系列 | STripFET™ |
FET型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET特点 | 标准型 |
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C | 14毫欧 @ 30A, 10V |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 60A |
Id时的 Vgs(th)（） | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 75nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 1700pF @ 25V |
功率 - | 110W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
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贴片场效应管
信息内容：品牌/商标 SI /VISHAY 型号/规格 SI2301DS 种类 结型(JFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 MES金属半导体 开启电压 112 毫欧 @ 2.8A, 4.5V（V） 夹断电压 20V（V） 低频跨导 标准（μS） 极间电容 405pF @（pF） 低频噪声系数 S（dB） 漏极电流 标准（mA） 耗散功率 标准（mW） 全新原装，环保无铅 类别分离式半导-MOSFET，GaNFET - 单FET型MOSFET P通道，金属氧化物FET特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C112毫欧 @ 2.8A, 4.5V...
晶体管2SD2653，功率三极管，贴片三极管
信息内容：品牌/商标 ROHM 型号/规格 2SD2653 应用范围 功率 功率特性 中功率 频率特性 高频 极性 NPN型 结构 点接触型 材料 标准 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 截止频率fT 360（MHz） 集电极允许电流ICM 2（A） 集电极耗散功率PCM 200m（W） 营销方式 现货 产品性质 热销 全新原装，环保无铅，公司现货库存，样品可售！ 类别分离式半导体产品-晶体管(BJT) - 单路晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)（）2A电压 - 集电极发射极击穿（）12VIb、Ic条件下的Vce饱和度（）180mV @ 50mA, 1A在某 Ic、Vce 时的最小...
