品牌/商标 | INFINEON | 型号/规格 | BTS432F2 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 用途 | L/功率放大 |
封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 1(V) | 夹断电压 | 1(V) |
跨导 | 1(μS) | 极间电容 | 1(pF) |
低频噪声系数 | 1(dB) | 漏极电流 | 1(mA) |
耗散功率 | 1(mW) |
BTS6133D |
BTS3142D |
BTS462T |
BTS5240L |
BTS4141N |
BTS4140N |
BTS118D |
BTS134D |
BTS3134D |
BTS3134N |
BTS452T |
BTS4141N |
BTS4142N |
BTS4142N |
BTS6143D |
BTS333 E3045A |
BTS141 E3045A |
BTS142D |
BTS432E2 |
BTS452R |
BTS6142D |
GSC34063 |
GSC93BC46A |
BTS6144B |
BTS462T |
BTS443P |
BTS443P |
BTS443P |
BTS4140N |
BTS4140N |
BTS4140N |
BTS133 E3045A |
BTS5240L |
BTS6143D |
BTS117 E3045A |
BTS282Z |
BTS3110N |
BTS3205N |
BTS442E2 |
BTS611L1 |
BTS7960B |
BTS3134N |
BTS452T |
BTS6163D |
BTS462T |
BTS3118N |
BTS3405G |
BTS409L1 |
BTS432F2 |
BTS50080-1EGA |
BTS50080-1TEB |
BTS5014SDA |
BTS5016SDA |
BTS640S2G |
BTS6510B |
BTS7750GP |
BTS4140N |
BTS6143D |
BTS118D |
BTS432E2 |
BTS6133D |
BTS6142D |
BTS6144B |
BTS5240L |
BTS149 E3045A |
BTS247Z |
BTS410F2 |
BTS5012SDA |
BTS621L1 |
BTS7710GP |
BTS134D |
BTS3134D |
BTS3207N |
BTS428L2 |
BTS452R |
BTS660P |
BTS133 E3045A |
BTS4142N |
BTS443P |
BTS6143D OHRYSLER |
BTS115A E3045A |
BTS426L1 |
BTS650P |
BTS7811K |
BTS7930B |
BTS142D |
BTS3118D |
BTS660P E3180A |
BTS333B E3045A |
BTS117 E3045A |
BTS3142D |
BTS4141N |
BTS141 E3045A |
BTS432E2 智能电源开关,英飞凌
完整型号:
BTS432D2
BTS432E2
BTS432F2
BTS432I2
产品封装:
TO-263/TO-220
最小包装:
1000/盘,管装
产品特点
VLoad dump 80V
Vbb-VOUT Avalanche Clamp 58V
Vbb (operation) 4.5 ... 42V
Vbb (reverse) -32V
RON 38mΩ
IL(SCp) 44A
IL(SCr) 35A
IL(ISO) 11A
特点
1.负载突降和电池反向protection1)
2.夹在负电压输出
3.短路保护
4.电流限制
5.热关断
6.诊断反馈
7.CMOS兼容输入
8.静电放电(ESD)保护
9.失去地面和损失使VBB protection2)
10.过电压保护
11.欠压和过压关断与自动重和迟滞
应用
1.微晶与诊断反馈兼容电源开关12V和24V直流接地负载
2.对电阻,电感和capacitve加载所有类型
3.取代机电式继电器和分立电路
品牌/商标 Infineon英飞凌 型号/规格 TLE5206-2G 应用范围 功率 功率特性 大功率 频率特性 高频 极性 NPN型 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 截止频率fT 1(MHz) 集电极允许电流ICM 1(A) 集电极耗散功率PCM 1(W) 营销方式 代理 产品性质 新品 TLE5205-2GPTLE5205-2GTLE5205-2STLE5206-2GPTLE5206-2GTLE5206-2SIPP60R250CP公司经营世界各电子元器件,优势厂家: ON INFINEON FAIRCHILD ST NS NXP VISHAY IR IXYS MICREL MICROCHIP SAMSUNG AD BB XILINX A...
品牌/商标 Littelfuse 型号/规格 LT1963AEST-1.8 应用范围 放大 功率特性 中功率 频率特性 高频 极性 NPN型 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 营销方式 现货 产品性质 热销 供应原装LT1963AEST-1.8 N沟道场效应70N03ON09+TO-25212000全新原装深圳现货 LT1963AEST-1.8LT05+PBSOT-2236000全新原装深圳现货N沟道场效应晶体管VNN1NV04STM09+PBSOT-22330000原装,优势库存功率晶体管 -意法半导体UTCLM2940L-5.0VUTC09+PBSOT-22330000原装,优势库存5.0-300毫安低压差电压调节器UTCLM2940L-3.3VUTC09+PBSOT-22330000原装,优势库存5.0-300毫安低压差电压调节器UTCLM2940LUTC09+PBSOT-22330000原装,...