9N60 DG9N60 MOS 场效应管 低价销售
| 价 格： | 2.10 |
| 品牌/商标 | DG 东光 | 型号/规格 | 9N60 DG9N60 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 30（V） | 夹断电压 | 2-4（V） |
| 跨导 | 10（μS） | 极间电容 | 1100（pF） |
| 低频噪声系数 | 0.1（dB） | 漏极电流 | 9000（mA） |
| 耗散功率 | 147000（mW） |
- 所属城市：广东 东莞
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场效应管5N60 DG5N60 厂家低价直销
信息内容：品牌/商标 东光 型号/规格 DG 5N60 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 D/变频换流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 30（V） 夹断电压 2-4（V） 跨导 4（μS） 极间电容 560（pF） 低频噪声系数 0.1（dB） 漏极电流 5000（mA） 耗散功率 120000（mW）
1N60 DG1N60 WFF1N60 MOS 场效应管厂家直销
信息内容：品牌/商标 东光 型号/规格 DG 1N60 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 CHOP/斩波、限幅 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 30（V） 夹断电压 2-4（V） 跨导 0.9（μS） 极间电容 120（pF） 低频噪声系数 0.1（dB） 漏极电流 1000（mA） 耗散功率 4000（mW）
