场效应管 MOS管 FQPF10N60 TO-220F 仙童 新货
| 价 格： | 1800.00 |
| 品牌/商标 | FAIRCHILD/仙童 | 型号/规格 | FQPF10N60 |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | MAP/匹配对管 |
| 封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | GaAS-FET砷化镓 |
| 开启电压 | 1（V） | 夹断电压 | 1（V） |
| 跨导 | 1（μS） | 极间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | 漏极电流 | 1（mA） |
| 耗散功率 | 1（mW） |
FQPF10N60(CS2N60F) N-CHANNEL MOSFET/N 沟道 MOS 晶体管
用途: 用于高功率 DC/DC 转换和功率开关。
Purpose: These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters
and switch mode power supplies.
特点: 低栅电荷,低反馈电容,开关速度快。
Features: Low gate charge ,low crss, fast switching.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
电性能参数/Electrical Characteristics(Ta=25℃)
参数符号
Symbol
测试条件
Test Conditions
最小值
Min
典型值
Typ
值
Max
单位
Unit
BVDSS VGS=0V ID=250μA 600 V
VDS=600V VGS=0V 1.0 μA
IDSS
VDS=480V TC=125℃ 100 μA
IGSS VGS=±30V VDS=0V ±0.1 μA
VGS(th) VDS=VGS ID=250μA 2.0 4.0 V
RDS(on) VGS=10V ID=1.0A 4.0 5.0 Ω
gFS VDS=40V ID=1.0A 2.05 S
VSD VGS=0V IS=2.0A 1.4 V
Ciss 320 420 pF
Coss 35 46 pF
Crss
VDS=25V VGS=0V f=1.0MHz
4.5 6.0 pF
td(on) 8.0 30 ns
tr 23 60 ns
td(off) 25 60 ns
tf
VDD=300V ID=2.0A RG=25Ω
28 70 ns
参数符号
Symbol
数值
Rating
单位
Unit
VDSS 600 V
ID(Tc=25℃) 2.0 A
ID(Tc=100℃) 1.3 A
IDM 6.0 A
VGSS ±30 V
EAS 120 mJ
EAR 5.4 mJ
IAR 2.0 A
PD(Tc=25℃) 23 W
TJ,TSTG -55 to 150 ℃
- 所属城市：广东 广州
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 杨海滨
- 电话：020-62805077
- 传真：020-62805077
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ST三端稳压三极管个LM317《热销》 0.55
信息内容：品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 LM317 控制方式 单向 极数 三极 封装材料 塑料封装 封装外形 螺旋形 关断速度 普通 散热功能 带散热片 频率特性 超高频 功率特性 大功率 额定正向平均电流 1（A） 控制极触发电流 1（mA） 稳定工作电流 1（A） 反向重复峰值电压 1（V）
厂家直销小功率三极管TO-92 S9015价格优势
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 S9015 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 NPN型 击穿电压VCBO 10（V） 集电极允许电流ICM 10（A） 集电极耗散功率PCM 10（W） 截止频率fT 10（MHz） 结构 点接触型 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装 NPN EBC 低频放大 50V0.5A0.625WC9013 NPN三极管作为音频放大和收音机1W推挽输出参数符号测试条件最小值典型值值单 位集电极漏电流ICBO VCB=30V,IE=0 100 nA发射极漏电流IEBO VBE=5V,IC=0 100 nA集电极、发射极击穿电压BVCEO IC=1mA,IB=0 25 V发射极、基极击穿电压BVEBO IE=100μA,IC=0 5 V集电极、基极击穿电压BVCBO IC=100μA,IE=0 30 V集电极、发射极饱和压降VCE(sat)IC=500mA,IB=50mA 0.6 V...
