s8050;8050火暴销售中集成电路IC
| 价 格： | 0.10 |
| 品牌/商标 | cj | 型号/规格 | S8050 |
| 批号 | 10+ | 封装 | 插件贴片 |
| 营销方式 | 厂家直销 | 产品性质 | 新品 |
| 处理信号 | 模拟信号 | 制作工艺 | 半导体集成 |
| 导电类型 | 双极型 | 集成程度 | 小规模 |
| 规格尺寸 | 100（mm） | 工作温度 | -40~85（℃） |
| 静态功耗 | 100（mW） | 类型 | 其他IC |
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
8050S TRANSISTOR（ NPN ）
FEATURES
Power dissipation
PCM : 0.625 W（Tamb=25℃）
Collector current
ICM : 0.5 A
Collector-base voltage
V(BR)CBO :40 V
Operating and storage junction temperature range
TJ，Tstg: -55℃ to +150℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Tamb=25℃ unless otherwise specified）
Parameter Symbol Test conditions MIN TYP MAX UNIT
Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO Ic= 100μA , IE=0 40 V
Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO Ic= 1 mA， IB=0 25 V
Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE= 100μA， IC=0 5 V
Collector cut-off current ICBO VCB= 40 V , IE=0 0.1 μA
Collector cut-off current ICEO VCE= 20 V , IB=0 0.1 μA
Emitter cut-off current IEBO VEB= 3 V， IC=0 0.1 μA
hFE（1） VCE= 1 V, IC= 50mA 85 300
DC current gain
hFE（2） VCE= 1 V, IC= 500mA 50
Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=500mA, IB=50 mA 0.6 V
Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC=500mA, IB=50 mA 1.2 V
Transition frequency fT
VCE= 6 V, IC=20mA
f =30MHz
150 MHz
CLASSIFICATION OF hFE(1)
Rank B C D
Range 85-160 120-200 160-300
1 2 3
TO—92
1.EMITTER
2. COLLECTOR
3.BASE
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 林洪坤
- 电话：0755-83254343
- 传真：0755-83254343
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贴片二极管ss34;ss24;ss14
信息内容：品牌/商标 TOSHIBA东芝 型号/规格 ss34 产品类型 整流管 结构 点接触型 材料 锗(Ge) 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 功率特性 小功率 频率特性 低频 正向直流电流IF 3（A） 反向电压 40（V）
放大三极管2n5551，大热卖
信息内容：品牌/商标 长电 型号/规格 2n5551 应用范围 放大 功率特性 小功率 频率特性 高频 极性 NPN型 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装 截止频率fT 50（MHz） 集电极允许电流ICM 0.5（A） 集电极耗散功率PCM 10（W） 营销方式 厂家直销 产品性质 热销 555107+SOT-23封装540107+SOT-23封装SS8050 07+SOT-23封装SS8550 07+SOT-23封装M28SD 07+SOT-23封装BAV99LT1 07+SOT-23封装MMBD4148 07+SOT-23封装BAT54A07+SOT-23封装BAT54C07+SOT-23封装BAT54S 07+SOT-23封装2SC2712 07+SOT-...
