品牌/商标 | VISHAY/ST/长电 | 型号/规格 | 2N2907 |
应用范围 | 开关 | 功率特性 | 中功率 |
频率特性 | 中频 | 极性 | PNP型 |
结构 | 点接触型 | 材料 | 硅(Si) |
封装形式 | TO-92 | 封装材料 | 树脂封装 |
截止频率fT | 100(MHz) | 集电极允许电流ICM | 2(A) |
集电极耗散功率PCM | 80(W) | 营销方式 | 现货 |
产品性质 | 热销 |
特价现货供应 开关三极管2N2907dzsc/18/5197/18519734.jpg
General Purpose Amplifier
This device is designed for use as general purpose amplifiers
and switches requiring collector currents to 500 mA. Sourced
from Process 63. See PN2907A for characteristics.
Absolute Maximum Ratings* TA = 25°C unless otherwise noted
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCEO Collector-Emitter Voltage 40 V
VCBO Collector-Base Voltage 60 V
VEBO Emitter-Base Voltage 5.0 V
IC Collector Current - Continuous 800 mA
TJ, Tstg Operating and Storage Junction Temperature Range -55 to +150 °C
Symbol Characteristic Max Units
PN2907 *MMBT2907
PD Total Device Dissipation
Derate above 25°C
625
5.0
350
2.8
mW
mW/°C
RqJC Thermal Resistance, Junction to Case 83.3 °C/W
RqJA Thermal Resistance, Junction to Ambient 200 357 °C/
产品类型 开关管 品牌/商标 长电/ROHM/东芝 型号/规格 1SS355 结构 平面型 材料 硅(Si) 封装形式 SOD-323 封装材料 树脂封装 功率特性 中功率 频率特性 中频 反向电压VR 90(V) 正向直流电流IF 225(mA) 高速开关二极管Switching diode1SS355zApplications zDimensions (Unit : mm) zLand size figure (Unit : mm)High speed switchingzFeatures1) Ultra small mold type.(UMD2)2) High reliability.zConstructionSilicon epitaxial planarzStructurezTaping specification (Unit : mm)zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)zElectrical characteristics (Ta=25°C)UMD22.10.8MIN.0.9MIN.Symbol UnitVRM VVR VIFM mAIo mAIsurge mATj ℃Tst...
品牌/商标 ADI 型号/规格 ATMEGA128A 封装 SOP-64 批号 2011 类型 单片机 ATmega128A 简介ATmega128A主要特性如下:高性能、低功耗的8位AVR®微处理器RISC 结构133条指令 – 大多数指令执行时间为单个时钟周期32个8位通用工作寄存器+外设控制寄存器全静态工作工作在16MHz时吞吐量高达16MIPS片内2周期乘法器高耐久度非易失性存储器128K字节的在系统可自编程Flash程序存储器擦写寿命: 10,000次4K字节EEPROM擦写寿命: 100,000次4K字节的片内SRAM数据保存:20年@85℃/100年@25℃带有独立锁定位的引导程序区通过片内引导程序在系统编程真正的“边写边读”操作可选外接存储器空间,高达64K字节可以对锁定位进行编程以及实现EEPROM数据的加密用于在系统编程的SPI接口JTAG(兼容IEEE 1149.1标准)接口符合JTAG 标准的边界扫描功能支持扩展的片内调试功能通过JTAG 接口实现对Flash、EEPROM、熔丝位和锁定位的编程外设特点2个具有独立预分频和比较模式的8位定时器/...