CL21电容，涤沦电容，400（V）
| 价 格： | 1.00 |
| 品牌/商标 | 国产/台产/ | 型号/规格 | CL21电容 CBB电容 涤沦电容 X电容 Y电容 |
| 介质材料 | 有机薄膜 | 应用范围 | 调谐 |
| 外形 | 方块状 | 功率特性 | 中功率 |
| 频率特性 | 中频 | 调节方式 | 固定 |
| 引线类型 | 径向引出线 | 允许偏差 | ±10（%） |
| 耐压值 | 400（V） | 标称容量 | 0.001uf-10uf |
| 损耗 | 标准 | 额定电压 | 标称（V） |
| 额定电流 | 标称（A） |
| 脚距( P )可选 7.5mm 10mm 15mm 20mm 21mm 26.5mm 31mm |
产品特点 |
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| 电容量和电压使用范围宽 |
绝缘电阻高，体积小 | |
自愈性能良好，内部升温小 | |
电性能稳定,使用寿命长 | |
用途 | 适用于直流和VHF级信号的隔直流、旁路和耦合 |
| 适用通讯器材、电子仪器、家用电器的直流、VHF级信号、滤波、降噪、低脉冲电路中。 |
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技术参数 | 引用标准：IEC384-17GB/T14579-93 |
容量范围：0.01uf - 10.0uf | |
额定电压：100／160V 250V 400V 630V | |
使用温度范围：-40℃～+85℃ | |
容量偏差：±5％（J） ±10％（K） ±20％（M） | |
试验电压：2倍额定电压 | |
损耗角正切：≤0．8％（25ºC，1KHZ） | |
绝缘电阻：CR≤0.33μF≥7500MΩ CR>0.33μF≥2500S |
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贴片场效应管STD4NK50-1
信息内容：品牌/商标 ST 型号/规格 STD4NK50-1 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 MES金属半导体 开启电压 2.7 欧姆 @ 1.5A, 10V（V） 夹断电压 500V（V） 低频跨导 标称（μS） 极间电容 标称（pF） 低频噪声系数 标称（dB） 漏极电流 标称（mA） 耗散功率 标称（mW） 全新原装，环保无铅 公司为电子产品生产厂家及贸易提供全方位一条龙的配套服务，产品涵盖国内外各知名品牌的IC集成电路芯片、二三极管、电容电阻、电感磁珠等电子...
仙童贴片二极管HUF76429S3ST
信息内容：品牌/商标 FSC仙童 型号/规格 HUF76429S3ST 产品类型 标准 结构 点接触型 材料 标准材料 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 功率特性 大功率 频率特性 高频 发光颜色 电压控制 LED封装 无色透明封装(T) 出光面特征 组合型 发光强度角分布 高指向性 正向直流电流IF 47（A） 反向电压 60（V） 全新原装，环保无铅，现货库存供应 类别分离式半导体产-MOSFET，GaNFET - 单系列UltraFET™FET型MOSFET N通道，金属氧化物FET特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C22毫欧 @ 47A, 10V漏极至源...
