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特价现货 三极管A1015

价 格: 0.03

品牌/商标 长电 型号/规格 A1015
应用范围 放大 功率特性 中功率
频率特性 中频 极性 NPN型
结构 点接触型 材料 硅(Si)
封装形式 TO-92 封装材料 树脂封装
截止频率fT 50(MHz) 集电极允许电流ICM -150M(A)
集电极耗散功率PCM 400M(W) 营销方式 现货
产品性质 热销

特价现货供应 三极管A1015

命名:2SA1015 如果叫法省略通常的叫法A1015 1015

2SA1015代换型号:2SA608 管脚排列一是样的

主要参数:

 

Symbol符号Parameter 参数Value数值Units单位
VCBOCollector-Base Voltage 集电极-基极电压-60V
VCEOCollector-Emitter Voltage 集电极-射极电压-50V
VEBOEmitter-Base Voltage 射极-基极电压-5V
ICCollector Current 集电极电流-150mA
IBBase Current 基极电流-50mA
PCCollector Power Dissipation 耗散功率400mW
 TJ Junction Temperature 结温125 ℃
TSTGStorage Temperature 贮藏温度-65 ~ 150

 

 

电参数:

 

Symbol 符号Parameter 参数Test Condition 测试条件Min 最小Typ 平均Max

Units 单位

BVCBOCollector-Base Breakdown Voltage集电极-基极击穿电压IC= -100μA, IE=0-50--V
BVCEOCollector-Emitter Breakdown Voltage集电极-发射极击穿电压IC= -10mA, IB=0-50--V
BVEBOEmitter-Base Breakdown Voltage发射极-基极击穿电压IE= -10μA, IC=0-5 - -V
ICBOCollector Cut-off Current 集电极截止电流VCB=60V, IE=0---0.1μA
IEBOEmitter Cut-off Current 射极

截止电流

VEB=5V, IC=0---0.1μA
hFE1 hFE2DC Current Gain直流电流增益VCE=6V, IC=2mA

VCE=6V, IC=150mA

70

25

 -400
 VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage集电极-发射极饱和电压IC=100mA, IB=10mA--0.1-0.3V
VBE (sat)Base-Emitter Saturation Voltage 基极-射极饱和电压IC=100mA, IB=10mA---1.1V
fTCurrent Gain Bandwidth Product 电流增益带宽VCE=10V, IC=1mA80--MHz
CobOutput Capacitance 输出电容VCB=10V, IE=0, f=1MHz-4.07.0pF
NFNoise Figure 噪声系数VCE=6V, IC=0.1mA RS=10kΩ, f=1Hz-0.56.0db

 

 

 放大倍数:

后缀符号OYGR
放大倍数70-140120-240200-400

 

 

A1015特性曲线:

dzsc/18/5176/18517672.jpg

                        静态特性曲线

东莞市讯微电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 东莞
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 张新旭
  • 电话:0769-83033107
  • 传真:0769-83033107
  • 手机:
  • QQ :
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特价现货 三极管2SC2236

信息内容:

品牌/商标 TOSHIBA东芝 型号/规格 2SC2236 应用范围 放大 功率特性 中功率 频率特性 中频 极性 NPN型 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 TO-92 封装材料 树脂封装 截止频率fT 50(MHz) 集电极允许电流ICM 1.5(A) 集电极耗散功率PCM 600M(W) 营销方式 现货 产品性质 热销

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特价现货MOS管2SK241Y TO-92

信息内容:

品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 2SK241Y 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 A/宽频带放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 20(V) 夹断电压 -2.5(V) 跨导 10000(μS) 极间电容 0.035(pF) 低频噪声系数 1.7-3.0(dB) 漏极电流 30(mA) 耗散功率 200(mW)

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