品牌/商标 | 长电 | 型号/规格 | A1015 |
应用范围 | 放大 | 功率特性 | 中功率 |
频率特性 | 中频 | 极性 | NPN型 |
结构 | 点接触型 | 材料 | 硅(Si) |
封装形式 | TO-92 | 封装材料 | 树脂封装 |
截止频率fT | 50(MHz) | 集电极允许电流ICM | -150M(A) |
集电极耗散功率PCM | 400M(W) | 营销方式 | 现货 |
产品性质 | 热销 |
特价现货供应 三极管A1015
命名:2SA1015 如果叫法省略通常的叫法A1015 1015
2SA1015代换型号:2SA608 管脚排列一是样的
主要参数:
Symbol符号 | Parameter 参数 | Value数值 | Units单位 |
VCBO | Collector-Base Voltage 集电极-基极电压 | -60 | V |
VCEO | Collector-Emitter Voltage 集电极-射极电压 | -50 | V |
VEBO | Emitter-Base Voltage 射极-基极电压 | -5 | V |
IC | Collector Current 集电极电流 | -150 | mA |
IB | Base Current 基极电流 | -50 | mA |
PC | Collector Power Dissipation 耗散功率 | 400 | mW |
TJ | Junction Temperature 结温 | 125 | ℃ |
TSTG | Storage Temperature 贮藏温度 | -65 ~ 150 | ℃ |
电参数:
Symbol 符号 | Parameter 参数 | Test Condition 测试条件 | Min 最小 | Typ 平均 | Max | Units 单位 |
BVCBO | Collector-Base Breakdown Voltage集电极-基极击穿电压 | IC= -100μA, IE=0 | -50 | - | - | V |
BVCEO | Collector-Emitter Breakdown Voltage集电极-发射极击穿电压 | IC= -10mA, IB=0 | -50 | - | - | V |
BVEBO | Emitter-Base Breakdown Voltage发射极-基极击穿电压 | IE= -10μA, IC=0 | -5 | - | - | V |
ICBO | Collector Cut-off Current 集电极截止电流 | VCB=60V, IE=0 | - | - | -0.1 | μA |
IEBO | Emitter Cut-off Current 射极 截止电流 | VEB=5V, IC=0 | - | - | -0.1 | μA |
hFE1 hFE2 | DC Current Gain直流电流增益 | VCE=6V, IC=2mA VCE=6V, IC=150mA | 70 25 | - | 400 | - |
VCE(sat) | Collector-Emitter Saturation Voltage集电极-发射极饱和电压 | IC=100mA, IB=10mA | - | -0.1 | -0.3 | V |
VBE (sat) | Base-Emitter Saturation Voltage 基极-射极饱和电压 | IC=100mA, IB=10mA | - | - | -1.1 | V |
fT | Current Gain Bandwidth Product 电流增益带宽 | VCE=10V, IC=1mA | 80 | - | - | MHz |
Cob | Output Capacitance 输出电容 | VCB=10V, IE=0, f=1MHz | - | 4.0 | 7.0 | pF |
NF | Noise Figure 噪声系数 | VCE=6V, IC=0.1mA RS=10kΩ, f=1Hz | - | 0.5 | 6.0 | db |
放大倍数:
后缀符号 | O | Y | GR |
放大倍数 | 70-140 | 120-240 | 200-400 |
A1015特性曲线:
dzsc/18/5176/18517672.jpg
静态特性曲线
品牌/商标 TOSHIBA东芝 型号/规格 2SC2236 应用范围 放大 功率特性 中功率 频率特性 中频 极性 NPN型 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 TO-92 封装材料 树脂封装 截止频率fT 50(MHz) 集电极允许电流ICM 1.5(A) 集电极耗散功率PCM 600M(W) 营销方式 现货 产品性质 热销
品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 2SK241Y 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 A/宽频带放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 20(V) 夹断电压 -2.5(V) 跨导 10000(μS) 极间电容 0.035(pF) 低频噪声系数 1.7-3.0(dB) 漏极电流 30(mA) 耗散功率 200(mW)