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MOS管 场效应管1N60 2N60 4N60

价 格: 0.80

品牌/商标 士兰微 型号/规格 1N60
种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道
导电方式 增强型 用途 MW/微波
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-P-FET锗P沟道
开启电压 650(V) 夹断电压 650(V)
跨导 1(μS) 极间电容 PS(pF)
低频噪声系数 DB(dB) 漏极电流 MA(mA)
耗散功率 MW(mW)

供应UTC 仕兰微  品牌充电器,电源专用mos管。

封装:TO-251(DIP) ; TO-252(SMD    

1、TO-251小插件封装。80PCS/管。1N60 2N60 3N60 4N60

 2.TO-252贴片1N60 2N60 3N60 4N60

1 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET
DESCRIPTION
The UTC 1N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power supplies, PWMmotor controls, high efficient DC to DC converters and bridge circuits.

FEATURES
* RDS(ON)=11.5Ω@VGS= 10V.
* Ultra Low gate charge (typical 5.0nC)
* Low reverse transfer capacitance (CRSS = typical 3.0 pF)
* Fast switching capability
* Avalanche energy specified
* Improved dv/dt capability, high ruggedness

 

 

2、韩产高品质MOS管。

 

3、现货特价供应。珠三角支持快递代收,全国支持支付宝。

 

 

  

1、TO-251小插件封装。80PCS/管。

 

1 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET
DESCRIPTION
The UTC 1N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power supplies, PWMmotor controls, high efficient DC to DC converters and bridge circuits.

FEATURES
* RDS(ON)=11.5Ω@VGS= 10V.
* Ultra Low gate charge (typical 5.0nC)
* Low reverse transfer capacitance (CRSS = typical 3.0 pF)
* Fast switching capability
* Avalanche energy specified
* Improved dv/dt capability, high ruggedness

 

 

2、韩产高品质MOS管芯片。

 

3、现货特价供应。珠三角支持快递代收,全国支持支付宝。

 

 

 

杭州松三电子有限公司
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