品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRF2807 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | L/功率放大 |
封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 1(V) | 夹断电压 | 1(V) |
跨导 | 1(μS) | 极间电容 | 1(pF) |
低频噪声系数 | 1(dB) | 漏极电流 | 1(mA) |
耗散功率 | 1(mW) |
IRF2807 概述
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IRF2807 特性 · 先进的工艺技术 · 贴片安装(IRF2807S) · 低端通孔安装(IRF2807L) · 超低导通阻抗 · 动态dv/dt率 · 175℃工作温度 · 快速转换速率 · 无铅环保 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
产品简介 IRF2807,Single N-Channel HEXFET Power MOSFET, 75V, 82A, 13 mOhm, 106.7 nC Qg, TO-220AB | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
型号标识 / 参数 IRF2807型号标识及主要参数:
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封装信息 IRF2807封装信息: | |||||||||||||||||||||||||||||||||
包装规格 IRF2807包装规格: | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
产品简介 IRF2807L,Single N-Channel HEXFET Power MOSFET, 75V, 82A, 13 mOhm, 106.7 nC Qg, TO-262 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
型号标识 / 参数 IRF2807L型号标识及主要参数:
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封装信息 IRF2807L封装信息: | |||||||||||||||||||||||||||||||||
包装规格 IRF2807L包装规格: | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
产品简介 IRF2807S,Single N-Channel HEXFET Power MOSFET, 75V, 82A, 13 mOhm, 106.7 nC Qg, D2-Pak | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
型号标识 / 参数 IRF2807S型号标识及主要参数:
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封装信息 IRF2807S封装信息: | |||||||||||||||||||||||||||||||||
包装规格 IRF2807S包装规格: |
品牌/商标 ST 型号/规格 L7805CV 封装 TO-220 批号 11+ 类型 稳压IC
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF9530 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 10(V) 夹断电压 10(V) 跨导 10(μS) 极间电容 10(pF) 低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 1(mA) 耗散功率 1(mW) IRF9530 概述 IR的第五代HEXFETs功率场效应管IRF9530采用先进的工艺技术制造,具有极低的导通阻抗。IRF9530这种特性,加上快速的转换速率,和以坚固耐用著称的HEXFET设计,使得IRF95...