品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 LM78M12 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 CC/恒流 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 产品图片产品特点LM78M12 概述 LM78M12三端阳极稳压器采用内置限流,热关断以及安全操作区域保护,使得该器件几乎不受输出超载的损害。由于充分的散热设置,LM78M12可提供超过0.5A的输出电流。LM78M12器件的典型应用包括有本地(卡上)稳压器,结合单点调节,可有效消除噪声和减缓性能退化。 LM78M12 参数 LM78M12 基本参数 输出电流(mA) 500输出电压(V) 12最小输入电压(V) 14.5输入电压(V) 30LM78M12 其他特性可调输出 —On/Off 引脚 —错误标识 —温度等级 -40℃~125℃LM78M12 封装类型TO-220TO-39 LM78M12 特性· 输出电流超过0.5A · 不需外部元件 · 内置过热超载保护...
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF7413PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 产品图片产品特点IRF7413 概述 IR的第五代HEXFET功率场效应管IRF7413采用先进的工艺技术制造,具有极低的导通阻抗。IRF7413这种特性,加上快速的转换速率,和以坚固耐用著称的HEXFET设计,使得IRF7413成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。 IRF7413的SO-8封装经过用户化的引脚框架改良,增强了热工特性和复合模性能,使IRF7413成为多种电力应用的理想选择。通过诸如此类的改良,在同一应用中可同时使用多个IRF7413器件,且极大节省了电路板空间。IRF7413的SO-8封装专为气相、红外、或波动焊接技术而设计,在典型的PCB安装应用中,功耗将可能超过0.8W。 IRF7413 参数 IRF7413 基本参数 VDSS ...