W20NM60FD场效应管
| 价 格： | 5.00 |
| 品牌/商标 | ST意法半导体 | 型号/规格 | W20NM60FD |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | S/开关 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 600（V） | 夹断电压 | 30（V） |
| 跨导 | 0.02V/（μS） | 极间电容 | 190（pF） |
| 低频噪声系数 | 1.0（dB） | 漏极电流 | 20000（mA） |
| 耗散功率 | 214000（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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F20NM60D、P20NM60FD场效应管
信息内容：品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 F20NM60D、P20NM60FD 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 600（V） 夹断电压 30（V） 跨导 0.02V/（μS） 极间电容 190（pF） 低频噪声系数 1.0（dB） 漏极电流 20000（mA） 耗散功率 214000（mW） 一、电气参数二、产品型号序号型号批号封装178L06L TO-92 T/B2010+TO-92 T/B278L08L SOP-82010+SOP-8378L08L SOP-8 T/R2010+SOP-8 T/R478L08G SOT-89 T/R2010+S...
C945LT1三极管
信息内容：品牌/商标 长电 型号/规格 C945LT1 应用范围 放大 功率特性 小功率 频率特性 低频 极性 NPN型 结构 面接触型 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 玻璃封装 截止频率fT 150（MHz） 集电极允许电流ICM 0.15（A） 集电极耗散功率PCM 0.4（W） 营销方式 代理 产品性质 热销 详细描述: 三极管（MMBT3904、 MMBT3906、MMBT2222、MMBT5551系列）产品简介三极管（SOT-23封装）：S8050LT1、S8550LT1、S9011LT1、S9012LT1、S9013LT1、S9014LT1、S9015LT1、S9018LT1、SS8550LT1、SS8050LT1、MMBT2...
