品牌/商标 | ST意法半导体 | 型号/规格 | TS820-600T |
控制方式 | 双向 | 极数 | 三极 |
封装材料 | 金属封装 | 封装外形 | 平板形 |
关断速度 | 普通 | 散热功能 | 带散热片 |
频率特性 | 中频 | 功率特性 | 中功率 |
额定正向平均电流 | 原厂标准(A) | 控制极触发电流 | 原厂标准(mA) |
稳定工作电流 | 原厂标准(A) | 反向重复峰值电压 | 600(V) |
品牌/商标 VISHAY 型号/规格 IRF840PBF 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 AM/调幅 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 MES金属半导体 开启电压 500(V) 夹断电压 原厂标准(V) 跨导 原厂标准(μS) 极间电容 8(pF) 低频噪声系数 原厂标准(dB) 漏极电流 原厂标准(mA) 耗散功率 原厂标准(mW)
品牌/商标 NXP/长电 型号/规格 BAS40 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 NPN型 击穿电压VCBO 原厂标准(V) 集电极允许电流ICM 原厂标准(A) 集电极耗散功率PCM 原厂标准(W) 截止频率fT 原厂标准(MHz) 结构 点接触型 封装形式 SOT-23 封装材料 塑料封装