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供应无铅环保整流二极管,优质生产厂家生产

价 格: 面议
型号/规格:LL4148
品牌/商标:Fairchild Semiconductor
封装形式:SOD-80
环保类别:无铅环保型
安装方式:贴片式
包装方式:Digi-Reel
功率特性:
频率特性:
整流电流:
反向击穿电流:

  【产品信息】
  标准包装:1
  类别:分离式半导体产品
  家庭:单二极管/整流器
  二极管类型:标准
  电压-(Vr)():100V
  电流-平均整流(Io):200mA
  电压-在If时为正向(Vf)():1V @ 10mA
  速度:小信号=<200mA(Io),任意速度
  反向恢复时间(trr):4ns
  电流-在 Vr 时反向漏电:25nA @ 20V
  电容@Vr,F:4pF @ 0V, 1MHz
  安装类型:表面贴装
  封装/外壳:SOD-80
  供应商设备封装:SOD-80
  包装:Digi-Reel
  其它名称:LL4148FSDKR


  【服务:Digi-Key成功的准则】
  仅在过去的六年里,Digi-Key 已从北美 300 多个电子元件经销商的第 16 位的经销商上升为第 5 位的经销商。"我们相信,Digi-Key 提供的服务是同行业中最出色的,"Digi-Key 董事长 Mark Larson 说。"在过年 20 年,复合年销售增长率接近 22% - 而这并非是并购的结果 - 除此之外,可能再没有更有力的证据能证明 Digi-Key 向其客户提供的服务质量。是服务的好坏使销售商彼此不同。服务使 Digi-Key 与其它电子元件销售商不同。所提供的出色服务和产品的广度和质量是促使 Digi-Key 在国际上发展的关键因素。"

Digi-Key 公司 (美国Digi-Key在华的分公司)
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 客户服务部
  • 电话:0755-400-824-440
  • 传真:-
  • 手机:
  • QQ :
公司相关产品

供应整流二极管LL4148,优质贴片二极管生产厂家

信息内容:

【产品信息】  标准包装:1  类别:分离式半导体产品  家庭:单二极管/整流器  二极管类型:标准  电压-(Vr)():100V  电流-平均整流(Io):200mA  电压-在If时为正向(Vf)():1V @ 10mA  速度:小信号=<200mA(Io),任意速度  反向恢复时间(trr):4ns  电流-在 Vr 时反向漏电:25nA @ 20V  电容@Vr,F:4pF @ 0V, 1MHz  安装类型:表面贴装  封装/外壳:SOD-80  供应商设备封装:SOD-80  包装:Digi-Reel  其它名称:LL4148FSDKR   【公司历史】  Digi-Key 由 Ronald Stordahl 博士 于 1972 年创立。公司的名称源自 Stordahl 博士在开始分销业务前开发并销售给业余无线电爱好者的数字电子键控器套件 (keyer) 。  Mark Larson 于 1976 年加盟 Digi-Key 并担任总经理。自 1985 年起,他成为该公司的总裁,并领导公司将业务重心从初始的业余爱好者市场转移至现时服务的扩展市场。  所有订单均自 Digi-Key 位于美国明尼苏达州Thief River Falls、占地 600,000 平方英尺、拥有约 2,000 名员工的总部发货。 Digi-Key 总部全年 365 天、每天 24 小时运营。 Digi-Key 在荷兰、香港、南韩和日本设有客户支持站点,这些站点按正常工作...

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供应优质结点场效应管J112,生产厂家

信息内容:

【产品信息】  标准包装:2,000  类别:分离式半导体产品  家庭:JFET(结点场效应管)  电流-漏极(Idss)@Vds(Vgs=0):5mA@15V  FET型:N沟道  电压-击穿(V(BR)GSS):35V  电压-切断(VGS:关)@Id:1V@1uA  电阻-RDS(开):50欧姆  安装类型:通孔  包装:散装  封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3标准主体  供应商设备封装:TO-92-3  功率-:625mW  其它名称:J112FS   【JFET】  一种单极的三层晶体管,它是一种控制极是由pn组成的场效应晶体管,工作依赖于惟一种载流子 - 电子或空穴的运动。对于一个"正常接通”器件,每当N沟道JFET的漏极电压相对于源极为正时,或是当P沟道JFET的漏极电压相对于源极为负时,都有电流在沟道中流过。在JFET沟道中的电流受栅极电压的控制,为了“夹断”电流的流动,在N沟道JFET中栅极相对源极的电压必须是负的;或者在P沟道JFET中栅极相对源极的电压必须是正的。栅极电压被加在横跨PN结的沟道上,与此相反,在MOSFET中则是加在绝缘体上。

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