品牌 | 进口 | 型号 | FMB34M |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | P沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 用途 | S/开关 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
开启电压 | V(V) | 夹断电压 | V(V) |
跨导 | US(μS) | 极间电容 | PF(pF) |
低频噪声系数 | DB(dB) | 漏极电流 | 标准(mA) |
耗散功率 | 标准(mW) |
是否提供加工定制 是 品牌 进口 型号 6N80 7N80 8N80 应用范围 开关 材料 硅(Si) 极性 PNP型 击穿电压VCBO V(V) 集电极允许电流ICM A(A) 集电极耗散功率PCM W(W) 截止频率fT MHZ(MHz) 结构 点接触型 封装形式 直插型 封装材料 金属封装
加工定制: 是 品牌: TOSHIBA东芝 型号: C2555 2SC2555 应用范围: 开关 材料: 硅(Si) 极性: NPN型 击穿电压VCEO: 1(V) 集电极允许电流ICM: 1(A) 集电极耗散功率PCM: 1(W) 截止频率fT: 1(MHz) 结构: 点接触型 封装形式: 直插型 封装材料: 金属封装