供应SOT-23稳压管，SOT-23塑封BZX84C4V7CC稳压二极管
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BZX84C4V7CC | |
| 品牌/商标： | 金誉 | |
| 封装形式： | SOT-23 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 | |
| 功率特性： | | |
| 频率特性： | | |
| 反向电压： | | |
| 反向击穿电流： | |
BZX84C4V7CC稳压二极管特性：
表面材料：硅
封装：SOT-23塑封
应用：蜂窝移动设备、手持式便携仪器等
齐纳击穿电压范围：2.4v~75v
功率损耗：350mW
存储温度范围：-65℃~150℃
稳压二极管(又叫齐纳二极管)是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很小的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定，稳压二极管是根据击穿电压来分档的，因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更多的稳定电压。
二极管击穿有哪3种情况？
二极管的击穿通常有三种情况，即雪崩击穿、齐纳击穿和热击穿。
（1）雪崩击穿
对于掺杂浓度较低的PN结，结较厚，当外加反向电压高到一定数值时，因外电场过强，使PN结内少数载流子获得很大的动能而直接与原子碰撞，将原子电离，产生新的电子空穴对，由于链锁反应的结果，使少数载流子数目急剧增多，反向电流雪崩式地迅速增大，这种现象叫雪崩击穿。雪崩击穿通常发生在高反压、低掺杂的情况下。
（2）齐纳击穿
对于采用高掺杂（即杂质浓度很大）形成的PN结，由于结很薄（如0.04μm）即使外加电压并不高（如4V），就可产生很强的电场将结内共价键中的价电子拉出来，产生大量的电子一空穴对，使反向电流剧增，这种现象叫齐纳击穿（因齐纳研究而得名）。齐纳击穿一般发生在低反压、高掺杂的情况下。
（3）热击穿
在使用二极管的过程中，如由于PN结功耗（反向电流与反向电压之积）过大，使结温升高，电流变大，循环反复的结果，超过PN结的允许功耗，使PN结击穿的现象叫热击穿。热击穿后二极管将发生性损坏。
对于硅PN结，击穿电压在7V以上的为雪崩击穿；4V以下的为齐纳击穿；在4～7V之间的两种情况都有。无论哪种击穿，只要控制反向电流的数值不致引起热击穿，当反向电压下降到击穿电压以下，其性能可以恢复到未击穿前的状况。
- 所属城市：广东 广州
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 曾向奔
- 电话：020-83182723
- 传真：020-83389441
- 手机：13928786606
- QQ ：
供应SOD-323稳压二极管，金誉STZ8300A稳压二极管
信息内容：STZ8300A稳压二极管特性： 表面材料：硅 功耗：300mW 封装：SOD-323 结点温度：150℃ 存储温度范围：-55℃~150℃ 如何区分二极管与稳压二极管？ 不少的一般二极管，特别是玻璃封装的管，外形颜色等与稳压二极管较相似，如不细心区别，就会使用错误。区别方法是：看外形，不少稳压二极管为园柱形，较短粗，而一般二极管若为园柱形的则较细长；看标志，稳 压二极管的外表面上都标有稳压值，如5V6，表示稳压值为5.6V；用万用表进行测量，根据单向导电性，用X1K挡先把被测二极管的正负极性判断出来，然后用X10K挡，黑表笔接二极管负极，红表笔接二极管正极，测的阻值与X1K挡时相比，若出现的反向阻值很大，为一般二极管的可能性很大，若出现的反向阻值变得很小，则为稳压二极管。 恒旺电子科技公司是本公司在香港的直接投资公司，负责进出口各国电子元器件，也开展了报关业务、提供17％增值税票等，使本公司更具竞争优势。联系人：吴付军 0523-83724803
供应MELF稳压二极管ZM4764，金誉MELF稳压二极管
信息内容：ZM4764稳压二极管特性： 表面材料：硅 封装：MELF 功耗：1W 稳压二极管正向使用与反向使用的区别 稳压二极管正向导通使用时，与一般二极管正向导通使用时基本相同，正向导通后两端电压也是基本不变的，都约为0.7V。从理论上讲，稳压二极管也可正向使用做稳压管用，但其稳压值将低于1V，且稳压性能也不好，一般不单独用稳压管的正向导通特性来稳压，而是用反向击穿特性来稳压。反向击穿电压值即为稳压值。有时将两个稳压管串联使用，一个利用它的正向特性，另一个利用它的反向特性，则既能稳压又可起温度补偿作用，以提高稳压效果。 恒旺电子科技公司是本公司在香港的直接投资公司，负责进出口各国电子元器件，也开展了报关业务、提供17％增值税票等，使本公司更具竞争优势。联系人：吴付军 0523-83724803
