供应MMA153F 0~4mm传感器，优越温度稳定性传感器直销
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMA153F | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、工作原理
在MMA153F芯片上表面放置一块小磁铁，通过旋转，该磁铁可以在平行于MMA153F芯片表面的任意方向产生磁场。MMA153F中的磁隧道结传感器主要由两磁性层组成，一层是“钉扎层”，磁化方向不受外加磁场影响，另一层是“自由层”，受外加磁场磁化并平行于外加磁场。由于隧道磁电阻效应，电阻值随钉扎层和自由层磁化方向夹角成正余弦关系变化，所以当外加磁场角度变化时，传感器的输出电压波形呈正余弦曲线。
二、极限参数
工作电压 VCC 6 V
存储温度 Tstg -50 ~ 150 °C
应用磁场 B 2000 Oe(1)
ESD (HBM) 4000 V
三、应用介绍：
被测磁场平行于TMR元件灵敏方向，磁环聚集了被测电流产生的磁场，在缺口处，TMR元件感应到该磁场，使二次线圈产生电流和磁场，二次线圈又反作用于磁环，使磁环内等效场为零。TMR支撑着整个应用的磁场平衡。在该应用中，TMR元件可直接替代现行的hall闭环式电流传感器内的hall元件。
性能比较： Hall TMR
灵敏度 0.1mV/V/Oe 6mV/V/Oe
线性度 2% 0.4%
温度系数 大 小
-3dB带宽 小 大
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供应MMA153F隧道磁电阻单轴角度传感器，多维厂家直销
信息内容：一、MMA153F隧道磁电阻传感器特性 隧道磁电阻(TMR)技术 超大输出信号，无需信号放大 超低功耗 超高频率响应 >20 MHz 优越的温度稳定性 低磁滞 宽工作电压范围 工作间隙大 极小封装尺寸 二、MMA153F隧道磁电阻传感器概述： 通常，在角度传感器的应用场合下，在MMA153F芯片上方放置一块磁铁以提供平行于芯片表面方向的工作磁场，芯片输出信号与磁场角度成正弦或余弦关系。MMA153F采用独特的推挽式惠斯通电桥设计，包含四个高灵敏度TMR传感元件，因此能产生很大的输出信号，峰峰值可达到工作电压的80%，从而可以省去通常应用中所必需的信号放大电路。 三、应用介绍： 被测磁场平行于TMR元件灵敏方向，磁环聚集了被测电流产生的磁场，在缺口处，TMR元件感应到该磁场，使二次线圈产生电流和磁场，二次线圈又反作用于磁环，使磁环内等效场为零。TMR支撑着整个应用的磁场平衡。在该应用中，TMR元件可直接替代现行的hall闭环式电流传感器内的hall元件。 性能比较： Hall TMR 灵敏度 0.1mV/V/Oe 6mV/V/Oe 线性度 2% 0.4% 温度系数 大 小 -3dB带宽 小 大 心动不如行动，赶紧拿起您手中的电话，选择我们的产品，只...
供应超低功耗MMA153F传感器，多维优质传感器直销
信息内容：一、性能参数 工作电压 VCC TA = 25°C 1 5 V 工作电流 ICC TA = 25°C 7(2) μA 电阻 R TA = 25°C 140(3) kOhm 输出范围 VOUT TA = 25°C 800 mV/V 偏移电压(4) VOQ TA = 25°C ±5 mV/V TCOV(5) Operating -0.1 %/°C 应用磁场 B Operating 60 400 Oe 角度误差 Operating 1 Degree 二、产品概述： 通常，在角度传感器的应用场合下，在MMA153F芯片上方放置一块磁铁以提供平行于芯片表面方向的工作磁场，芯片输出信号与磁场角度成正弦或余弦关系。MMA153F采用独特的推挽式惠斯通电桥设计，包含四个高灵敏度TMR传感元件，因此能产生很大的输出信号，峰峰值可达到工作电压的80%，从而可以省去通常应用中所必需的信号放大电路。此外，独特的TMR惠斯通电桥结构可以有效地补偿传感器的温度漂移。MMA153F性能优越，采用超小型的SOP8封装形式，尺寸仅为6 mm 5 mm 1.7 mm。 三、产品应用 旋转位置传感器 旋转编码器 非接触式电位器 阀门位置传感器 旋钮传感器 心动不如行动，赶紧拿起您手中的电话，选择我们的产品，只有您的满意，才是我们的宗旨！！！ 欢迎广大新老顾客来电选购或咨询，多维科技欢迎您！ 联系...
