一、产品概述:
通常,在角度传感器的应用场合下,在MMA153F芯片上方放置一块磁铁以提供平行于芯片表面方向的工作磁场,芯片输出信号与磁场角度成正弦或余弦关系。MMA153F采用独特的推挽式惠斯通电桥设计,包含四个高灵敏度TMR传感元件,因此能产生很大的输出信号,峰峰值可达到工作电压的80%,从而可以省去通常应用中所必需的信号放大电路。此外,独特的TMR惠斯通电桥结构可以有效地补偿传感器的温度漂移。MMA153F性能优越,采用超小型的SOP8封装形式,尺寸仅为6 mm 5 mm 1.7 mm。
二、极限参数
工作电压 VCC 6 V
存储温度 Tstg -50 ~ 150 °C
应用磁场 B 2000 Oe(1)
ESD (HBM) 4000 V
三、TMR磁阻传感器在消费电子中的应用
磁传感器在消费电子类产品,如手机、笔记本电脑、电子玩具、电子罗盘中也有非常广泛的应用。未来磁传感器在消费电子市场将有较大的成长,MEMS传感器与磁传感器在应用中互相促进,对推动这一趋势有一定贡献。虽然磁阻传感器发展历程已经很漫长,技术相对成熟,但仅作为电子罗盘的单独应用,在以前并不被人们很看好,而现在它与MEMS的结合,会在导航市场成为一个亮点。
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一、MMA153F超大输出信号传感器特性 隧道磁电阻(TMR)技术 超大输出信号,无需信号放大 超低功耗 超高频率响应 >20 MHz 优越的温度稳定性 低磁滞 宽工作电压范围 工作间隙大 极小封装尺寸 二、产品概述: 通常,在角度传感器的应用场合下,在MMA153F芯片上方放置一块磁铁以提供平行于芯片表面方向的工作磁场,芯片输出信号与磁场角度成正弦或余弦关系。MMA153F采用独特的推挽式惠斯通电桥设计,包含四个高灵敏度TMR传感元件,因此能产生很大的输出信号,峰峰值可达到工作电压的80%,从而可以省去通常应用中所必需的信号放大电路。此外,独特的TMR惠斯通电桥结构可以有效地补偿传感器的温度漂移。MMA153F性能优越,采用超小型的SOP8封装形式,尺寸仅为6 mm 5 mm 1.7 mm。 三、产品应用 旋转位置传感器 旋转编码器 非接触式电位器 阀门位置传感器 旋钮传感器 四、TMR磁阻传感器在物联网中的应用 磁传感器作为传感器产业中的重要分支,在物联网应用领域有着巨大的市场,在全球范围内被很多国家提高到了国家经济和国防的战略高度。 我国物联网“十二五”发展规划近日出台。规划要求到2015年初步完成物联网产业体系构...
一、产品概述: 通常,在角度传感器的应用场合下,在MMA153F芯片上方放置一块磁铁以提供平行于芯片表面方向的工作磁场,芯片输出信号与磁场角度成正弦或余弦关系。MMA153F采用独特的推挽式惠斯通电桥设计,包含四个高灵敏度TMR传感元件,因此能产生很大的输出信号,峰峰值可达到工作电压的80%,从而可以省去通常应用中所必需的信号放大电路。此外,独特的TMR惠斯通电桥结构可以有效地补偿传感器的温度漂移。MMA153F性能优越,采用超小型的SOP8封装形式,尺寸仅为6 mm 5 mm 1.7 mm。 二、特点: 抗干扰能力强 成本低 处理电路简单 工作温度范围宽(-55℃~125℃) 测量范围广(10A~1000A) 温度特性好(-0.1%/℃) 测量精度高(0.1%/FS) 灵敏度高(6mV/V/Oe) 三、性能参数 工作电压 VCC TA = 25°C 1 5 V 工作电流 ICC TA = 25°C 7(2) μA 电阻 R TA = 25°C 140(3) kOhm 输出范围 VOUT TA = 25°C 800 mV/V 偏移电压(4) VOQ TA = 25°C ±5 mV/V TCOV(5) Operating -0.1 %/°C 心动不如行动,赶紧拿起您手中的电话,选择我们的产品,只有您的满意,才是我们的宗旨!!! 欢迎广大新老顾客来电选购或咨...