一、MMA153F旋钮传感器概述:
通常,在角度传感器的应用场合下,在MMA153F芯片上方放置一块磁铁以提供平行于芯片表面方向的工作磁场,芯片输出信号与磁场角度成正弦或余弦关系。MMA153F采用独特的推挽式惠斯通电桥设计,包含四个高灵敏度TMR传感元件,因此能产生很大的输出信号,峰峰值可达到工作电压的80%,从而可以省去通常应用中所必需的信号放大电路。此外,独特的TMR惠斯通电桥结构可以有效地补偿传感器的温度漂移。MMA153F性能优越,采用超小型的SOP8封装形式,尺寸仅为6 mm 5 mm 1.7 mm。
二、接近开关:接近开关又称无触点开关,可以完成行程控制和限位保护,是一种非接触型的检测装置,用作检测距离和测速等。利用霍尔传感器做成的接近开关,当磁性物体移近霍尔开关时,开关检测面上的霍尔元件由于霍尔效应而使开关内部电路状态发生变化,由此来判断物体。由于霍尔元件信号范围小,灵敏度低,对于长距离不敏感。TMR磁传感器的特性,刚好解决了霍尔元件的灵敏度低等缺点,用TMR磁传感器做成的接近开关可以应用在长距离检测和特殊环境的测速。
三、性能参数
工作电压 VCC TA = 25°C 1 5 V
工作电流 ICC TA = 25°C 7(2) μA
电阻 R TA = 25°C 140(3) kOhm
输出范围 VOUT TA = 25°C 800 mV/V
偏移电压(4) VOQ TA = 25°C ±5 mV/V
TCOV(5) Operating -0.1 %/°C
应用磁场 B Operating 60 400 Oe
角度误差 Operating 1 Degree
使用温度 TA Operating -40 125 °C
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一、性能参数 工作电压 VCC TA = 25°C 1 5 V 工作电流 ICC TA = 25°C 7(2) μA 电阻 R TA = 25°C 140(3) kOhm 输出范围 VOUT TA = 25°C 800 mV/V 偏移电压(4) VOQ TA = 25°C ±5 mV/V TCOV(5) Operating -0.1 %/°C 应用磁场 B Operating 60 400 Oe 二、电流传感器:常用的电流测量装置一般采用霍尔元件作为传感器单元,通过被测电流产生的磁场大小来实现对电流的测量。目前也有采用AMR和GMR作为传感器单元,其原理和霍尔元件相同,都是通过被测电流产生的磁场来实现对电流的测量。霍尔元件由于灵敏度低,通常采用铁磁材料通过磁聚效应来提高精度。TMR磁传感器由于灵敏度高,线性度好,动态范围宽,精度高,温度特性好。不需要铁磁材料,能减少电流传感器体积,降低成本。 三、工作原理 在MMA153F芯片上表面放置一块小磁铁,通过旋转,该磁铁可以在平行于MMA153F芯片表面的任意方向产生磁场。MMA153F中的磁隧道结传感器主要由两磁性层组成,一层是“钉扎层”,磁化方向不受外加磁场影响,另一层是“自由层”,受外加磁场磁化并平行于外加磁场。由于隧道磁电阻效应,电阻值随钉扎层和自由层磁化方向夹角成正余弦关系变化,所以当外加磁场角...
一、性能参数 输出范围 VOUT TA = 25°C 800 mV/V 偏移电压(4) VOQ TA = 25°C ±5 mV/V TCOV(5) Operating -0.1 %/°C 应用磁场 B Operating 60 400 Oe 角度误差 Operating 1 Degree 使用温度 TA Operating -40 125 °C 注: (1)1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。 (2)ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。 (3)电阻值有多种选择,详情请咨询多维科技有限公司。 (4)偏移电压:角度为零时,传感器输出电压(正余弦模式)。 (5)TCOV:在恒定工作电压下,输出信号随温度变化的百分比 二、TMR磁传感器芯片在热量表中的应用方案特点: 极高的频率响应特性,直接测量叶轮转速; 极低的功耗满足热量表低功耗需求; 极高的灵敏度,可减少叶轮磁钢磁场强度,降低对安装位置的要求,并减少杂质吸附; 标准的高低电平输出,可直接连接处理器,提高系统的可靠性; 锁存式工作方式,有效地避免叶轮抖动问题; 内部量子式闭环的磁结构,无外部磁场辐射,满足极低的起始流量测量; 三、极限参数 工作电压 VCC 6 V 存储温度 Tstg -50 ~ 150 °C 应用磁场 B 20...