一、隧道式磁阻芯片性能参数
工作电压:VCC 1 5 V
工作电流:ICC 12.5(2) μA
电阻值:R 80(3) kOhm
灵敏度:SEN 在±20 Oe范围拟合 6 mV/V/Oe
动态范围:±70 Oe
线性范围:非线性度<1% ±20 Oe
失调电压:VOQ ±5 mV/V
磁滞:Hys. 在±20 Oe范围拟合 0.1 %FS
失调电压温漂:VOT H = 0 Oe ±0.01 mV/V/°C
灵敏度温度系数:-0.1 %/°C
使用温度:TA -40 125 °C
频率响应:FCUT DC 20 MHz
注:
(1)1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。
(2)ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。
(3)阻值可以选择,详情请咨询江苏多维科技有限公司。
二、隧道式磁阻芯片概述
采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出,并且该输出具有良好的温度稳定性。 MMLD47F性能优越,采用SOP8封装(尺寸为6 mm 5 mm 1.7 mm)形式。
三、隧道式磁阻芯片极限参数
工作电压:VCC 6 V
存储温度:Tstg -50 ~ 150 °C
外加磁场:B 2000 Oe(1)
ESD:(HBM) 4000 V
存储温度:Tstg -50 ~ 150 °
外加磁场
四、TMR磁阻传感器在水表中的应用
水表的发展已经有两百多年的历史,随着城市供水事业的发展,中国的水表工业也相应地发展起来了。目前中国水表市场上,存在着普通机械水表、IC卡智能水表、无线远传水表等共同使用的现象。
节水是我国的一项基本国策,为建设节水型社会,政府和自来水公司正在加快阶梯水价的实施步伐,普通的机械水表已无法给居民生活用水阶梯式计量水价提供技术支持,而智能水表能够提供这一技术支持。尽管,目前国内的水表市场仍然以机械表为主,但是从发展角度来看,智能化是一种必然的趋势,可以节省人工,提高抄表的准确度,更可以实现阶梯化收费,有效的利用有限的水资源。
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一、MMLD47F 6V传感器芯片性能参数 工作电压:VCC 1 5 V 工作电流:ICC 12.5(2) μA 电阻值:R 80(3) kOhm 灵敏度:SEN 在±20 Oe范围拟合 6 mV/V/Oe 动态范围:±70 Oe 线性范围:非线性度<1% ±20 Oe 失调电压:VOQ ±5 mV/V 磁滞:Hys. 在±20 Oe范围拟合 0.1 %FS 二、MMLD47F 6V传感器芯片在 智能水表中应用 传感器通常采用干簧管、低功耗霍尔器件以及韦根传感器等。智能水表一般由电池供电,这就对智能水表传感器的功耗提出了苛刻的要求。由于受传感器功耗、寿命、响应频率以及磁阻尼的限制,数字化水表的常用方案是通过齿轮的变速,把传感器安装在10升流量位置。这样的设计只能测量一段时间内的总流量,而不能测量瞬时流量。目前在水表中普遍使用的干簧管,由于其体积大,不宜安装,影响了表的小型化,智能化;同时由于水锤效应,会发生抖动现象,影响了计量精度。在热量表中采用有磁和无磁方案实现其智能化(数字化?)。有磁方案中,普遍采用韦根传感器,在其工作时,功耗比较大。韦根信号是尖峰脉冲信号,占空比不一,所以要加额外的脉冲整形电路,电路复杂,可靠性差,甚至一只电子元件损坏都会引起整只表不工作。由于其特有的磁阻...
一、MMLD47F性能参数 工作电压:VCC 1 5 V 工作电流:ICC 12.5(2) μA 电阻值:R 80(3) kOhm 灵敏度:SEN 在±20 Oe范围拟合 6 mV/V/Oe 动态范围:±70 Oe 线性范围:非线性度<1% ±20 Oe 失调电压:VOQ ±5 mV/V 磁滞:Hys. 在±20 Oe范围拟合 0.1 %FS 二、MMLD47F概述 采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出,并且该输出具有良好的温度稳定性。 MMLD47F性能优越,采用SOP8封装(尺寸为6 mm 5 mm 1.7 mm)形式。 三、智能水表传感器特点: 智能水表一般由电池供电,这就对智能水表传感器的功耗提出了苛刻的要求。 多维科技磁阻传感器采用TMR磁隧道结技术,灵敏度高、响应频率高、功耗低,非常适合于水表、热量表等电池供电场合应用。其特点如下: 灵敏度高、精度高:灵敏度可以达到十高斯 响应频率高:典型值为 低功耗:工作电流为 小型封装:SOT23-3, 四、MMLD47F极限参数 工作电压:VCC 6 V 存储温度:Tstg -50 ~ 150 °C 外加磁场:B 2000 Oe(1) ESD:(HBM) 4000 V 存储温度:Tstg -5...