供应高响应频率传感器芯片，MMLD47F隧道磁电阻芯片
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMLD47F | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、高响应频率传感器芯片特性
隧道磁电阻 ( TMR) 技术
超宽动态范围
高灵敏度
低功耗
超高频率响应
优越的温度稳定性
极小的磁滞
宽工作电压范围
二、高响应频率传感器芯片概述
采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。 MMLD47F性能优越，采用SOP8封装（尺寸为6 mm 5 mm 1.7 mm）形式。
三、典型应用
电流传感器
磁强计
地磁传感器
位置传感器
四、公司介绍：
江苏多维科技有限公司是一家创新型的高科技公司，由多位欧美留学归国博士创办，提供基于先进的第四代磁传感技术--隧道磁电阻（TMR）的磁性感应芯片及其相关的应用解决方案，该芯片可用于医疗、物联网、新能源、消费电子、工业控制、汽车电子、航空航天等领域。
公司成立于2010年5月，总部位于江苏省张家港市保税区，并在美国加州、中国上海等地设有分公司，注册资本为3亿人民币，项目总投资5亿人民币。
多维科技拥有的磁传感芯片的制造设备，拥有多项自主知识产权和核心技术，并不断地完善和扩展所涉及的核心技术和知识产权。
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供应20 MHz传感器芯片，MMLD47F隧道磁电阻(TMR)芯片
信息内容：一、20 MHz传感器芯片性能参数 工作电压:VCC 1 5 V 工作电流:ICC 12.5(2) μA 电阻值:R 80(3) kOhm 灵敏度:SEN 在±20 Oe范围拟合 6 mV/V/Oe 动态范围:±70 Oe 线性范围:非线性度<1% ±20 Oe 失调电压:VOQ ±5 mV/V 磁滞:Hys. 在±20 Oe范围拟合 0.1 %FS 失调电压温漂:VOT H = 0 Oe ±0.01 mV/V/°C 灵敏度温度系数:-0.1 %/°C 使用温度:TA -40 125 °C 频率响应:FCUT DC 20 MHz 注： （1）1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。 （2）ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。 （3）阻值可以选择，详情请咨询江苏多维科技有限公司。 二、TMR线性传感器芯片作为闭环电流传感器的应用特点： 测量范围广（1A~1000A） 温度特性好 测量精度高（0.1%/FS） 工作温度范围宽（-55℃~125℃） 抗干扰能力强 成本低 -3dB带宽宽 三、20 MHz传感器芯片概述 采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。 MMLD47F性能优越...
供应1A~1000A闭环电流传感器芯片，MMLD47F芯片厂家
信息内容：一、闭环电流传感器芯片性能参数 工作电压:VCC 1 5 V 工作电流:ICC 12.5(2) μA 电阻值:R 80(3) kOhm 灵敏度:SEN 在±20 Oe范围拟合 6 mV/V/Oe 动态范围:±70 Oe 线性范围:非线性度<1% ±20 Oe 失调电压:VOQ ±5 mV/V 磁滞:Hys. 在±20 Oe范围拟合 0.1 %FS 失调电压温漂:VOT H = 0 Oe ±0.01 mV/V/°C 灵敏度温度系数:-0.1 %/°C 使用温度:TA -40 125 °C 频率响应:FCUT DC 20 MHz 注： （1）1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。 （2）ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。 （3）阻值可以选择，详情请咨询江苏多维科技有限公司。 二、TMR线性传感器芯片作为开环PCB级电流传感器的应用特点： 测量范围广（1A~100A） 温度特性好（-0.1%/℃） 测量精度高（0.1%/FS） 灵敏度极高（12mV/V/Oe） 体积小 抗干扰能力强 工作温度范围宽（-55℃~125℃） 处理电路简单 三、闭环电流传感器芯片概述 采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压...
