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供应MMLH45F低功耗霍尔传感器芯片,MMLH45F多维厂家

价 格: 面议
型号/规格:MMLH45F
品牌/商标:MDT

一、低功耗霍尔传感器芯片性能参数

  工作电压 VCC 1 5 V
  工作电流 ICC 12.5(2) μA
  电阻值 R 80(3) kOhm
  灵敏度 SEN 在±15 Oe范围拟合 12 mV/V/Oe
  动态范围 ±50 Oe
  线性范围 非线性度<1% ±15 Oe
  失调电压 VOQ ±5 mV/V
  磁滞 Hys. 在±15 Oe范围拟合 1 %FS
  失调电压温漂 VOT H = 0 Oe ±0.01 mV/V/°C
  灵敏度温度系数 -0.1 %/°C

二、低功耗霍尔传感器芯片

         低功耗霍尔或干簧管,通过齿轮变比,来测量水表一段时间内的流量。由于TMR磁传感器的固有特点,非常适合智能水表应用。响应频率高,可以达到10 kHz以上,这样就可以直接测量叶轮的转速,得到水表的瞬时流量,可以实时监控用水情况。采用两个TMR传感器,根据四种不同状态信号,可以获得叶轮的旋转速度和旋转方向。通过测量叶轮的转速,多维科技TMR传感器可以实现:瞬时流量检测、漏水及大流量报警、逆流检测等功能。

 

三、极限参数参数
  工作电压:VCC 6 V
  存储温度:Tstg -50 ~ 150 °C
  外加磁场:B 2000 Oe(1)
  ESD:(HBM) 4000 V

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江苏多维科技有限公司
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一、高精度传感器芯片性能参数 (VCC = 1.0 V, TA = 25 °C, 差分输出)  工作电压 VCC 1 5 V  工作电流 ICC 12.5(2) μA  电阻值 R 80(3) kOhm  灵敏度 SEN 在±15 Oe范围拟合 12 mV/V/Oe  动态范围 ±50 Oe  线性范围 非线性度<1% ±15 Oe  失调电压 VOQ ±5 mV/V 二、高精度传感器芯片在隧道磁电阻效应(TMR)  基于电子的自旋效应,在磁性钉扎层和磁性自由层中间间隔有绝缘体或半导体的非磁层的磁性多层膜结构,由于在磁性钉扎层和磁性自由层之间的电流通过基于电子的隧穿效应,因此称这一多层膜结构称为磁性隧道结。这种磁性隧道结在横跨绝缘层的电压作用下,其隧道电流和隧道电阻依赖于两个铁磁层(磁性钉扎层和磁性自由层)磁化强度的相对取向。 三、高精度传感器芯片极限参数参数  工作电压:VCC 6 V  存储温度:Tstg -50 ~ 150 °C  外加磁场:B 2000 Oe(1)  ESD:(HBM) 4000 V 心动不如行动,赶紧拿起您手中的电话,选择我们的产品,只有您的满意,才是我们的宗旨!!! 欢迎广大新老顾客来电选购或咨询,多维科技欢迎您! 联系方式: 1. 服务电话:0512-56366222 2. 电话:0512-56319303联系人:...

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供应12.5(2)μA传感器芯片,MMLH45F传感器芯片厂家

信息内容:

一、TMR器件制造工艺: TMR器件及其制造工艺要远比以上三层膜结构复杂,但是就磁性传感器的应用来讲,我们可以认为TMR传感器就是一个电阻,只是TMR传感器的电阻值随外加磁场值的变化,其阻值发生改变,并且这种改变对于氧化铝Al2O3可达30~50%,对于氧化镁MgO可达200%,因此其输出相当可观,灵敏度非常高.正是由于TMR的这些优点,TMR已经在硬盘磁头这一对工作稳定性等各项性能要求极高的高精技术领域取代GMR磁头,因此TMR的性能已经经受了最为严格的考验。 二、传感器芯片性能参数 (VCC = 1.0 V, TA = 25 °C, 差分输出)  工作电压 VCC 1 5 V  工作电流 ICC 12.5(2) μA  电阻值 R 80(3) kOhm  灵敏度 SEN 在±15 Oe范围拟合 12 mV/V/Oe  动态范围 ±50 Oe  线性范围 非线性度<1% ±15 Oe  失调电压 VOQ ±5 mV/V 三、极限参数参数  工作电压:VCC 6 V  存储温度:Tstg -50 ~ 150 °C  外加磁场:B 2000 Oe(1)  ESD:(HBM) 4000 V 心动不如行动,赶紧拿起您手中的电话,选择我们的产品,只有您的满意,才是我们的宗旨!!! 欢迎广大新老顾客来电选购或咨询,多维科技欢迎您! 联系方式: 1. 服务电话:0...

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