供应汽车传感器专用芯片，MMLH45F汽车传感器芯片
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMLH45F | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、汽车传感器专用芯片应用
磁传感器是传感器的一个重要组成部分，广泛地应用在许多领域中。其中，在汽车领域占据70%以上份额。磁传感器在汽车中主要被用于车速、倾角、角度、距离、位置等参数检测以及导航、定位等方面的应用，比如车速测量、踏板位置、变速箱位置、电机旋转、助力扭矩测量、曲轴位置、凸轮位置，倾角测量、电子导航、防抱死检测、泊车定位等等。
二、汽车传感器专用芯片特性
隧道磁电阻 ( TMR) 技术
高灵敏度 12 mV/V/Oe
低功耗
超高频率响应 >20 MHz
优越的温度稳定性
较小磁滞
宽工作电压范围
三、汽车传感器专用芯片概述
MMLH45F采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。MMLH45F性能优越，采用SOP8封装（尺寸为6 mm 5 mm 1.7 mm）形式。
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供应MMLH45F传感器芯片，凸轮位置检测专用传感器
信息内容：一、MMLH45F传感器芯片特性 隧道磁电阻 ( TMR) 技术 高灵敏度 12 mV/V/Oe 低功耗 超高频率响应 >20 MHz 优越的温度稳定性 较小磁滞 宽工作电压范围 二、汽车传感器中的应用 磁传感器是传感器的一个重要组成部分，广泛地应用在许多领域中。其中，在汽车领域占据70%以上份额。磁传感器在汽车中主要被用于车速、倾角、角度、距离、位置等参数检测以及导航、定位等方面的应用，比如车速测量、踏板位置、变速箱位置、电机旋转、助力扭矩测量、曲轴位置、凸轮位置，倾角测量、电子导航、防抱死检测、泊车定位等等。 三、极限参数参数 工作电压 VCC 6 V 存储温度 Tstg -50 ~ 150 °C 外加磁场 B 2000 Oe(1) ESD (HBM) 4000 V 心动不如行动，赶紧拿起您手中的电话，选择我们的产品，只有您的满意，才是我们的宗旨！！！ 欢迎广大新老顾客来电选购或咨询，多维科技欢迎您！ 联系方式： 1. 服务电话：0512-56366222 2. 电话：0512-56319303联系人：张先生 3. 或直接将您的意见发送到 info@dowaytech.com
供应0.1%/FS高测量精度传感器芯片，MMLH45F系列芯片
信息内容：一、高测量精度传感器芯片原理： 基于电子的自旋效应，在磁性钉扎层和磁性自由层中间间隔有绝缘体或半导体的非磁层的磁性多层膜结构，由于在磁性钉扎层和磁性自由层之间的电流通过基于电子的隧穿效应，因此称这一多层膜结构称为磁性隧道结。这种磁性隧道结在横跨绝缘层的电压作用下，其隧道电流和隧道电阻依赖于两个铁磁层（磁性钉扎层和磁性自由层）磁化强度的相对取向。当磁性自由层在外场的作用下，其磁化强度方向改变，而钉扎层的磁化方向不变，此时两个磁性层的磁化强度相对取向发生改变，则可在横跨绝缘层的的磁性隧道结上观测到大的电阻变化，这一物理效应正是基于电子在绝缘层的隧穿效应，因此称为隧道磁电阻效应。也就是说TMR磁传感器是利用磁场的变化来引起磁电阻变化，另一方面，我们可以通过观测TMR磁传感器的电阻变化来测量外磁场的变化。 二、高测量精度传感器芯片特性 隧道磁电阻 ( TMR) 技术 高灵敏度 12 mV/V/Oe 低功耗 超高频率响应 >20 MHz 优越的温度稳定性 较小磁滞 宽工作电压范围 三、高测量精度传感器芯片概述 MMLH45F采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。...
