供应抗干扰能力强传感器芯片，MMLP57F系列传感器芯片
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMLP57F | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、抗干扰能力强传感器芯片应用介绍：
被测磁场平行于TMR元件灵敏方向，磁环聚集了被测电流产生的磁场，在缺口处，TMR元件感应到该磁场，使二次线圈产生电流和磁场，二次线圈又反作用于磁环，使磁环内等效场为零。TMR支撑着整个应用的磁场平衡。在该应用中，TMR元件可直接替代现行的hall闭环式电流传感器内的hall元件。
性能比较： Hall TMR
灵敏度 0.1mV/V/Oe 6mV/V/Oe
线性度 2% 0.4%
温度系数 大 小
-3dB带宽 小 大
二、抗干扰能力强传感器芯片特性
隧道磁电阻 ( TMR) 技术
高灵敏度 6 mV/V/Oe
低功耗
超高频率响应 >20 MHz
优越的温度稳定性
极小的磁滞
宽工作电压范围
三、TMR磁传感器器件优点：
响应频率高，可达GHz以上
精度高，灵敏度高、信噪比好、分辨率高、线性好、线性范围宽
功耗更低，电阻率大、工作电流小，工作电压低
温度稳定性好，工作温度范围宽，可达200摄氏度
体积小，工艺性好，便于与现有的半导体芯片工艺集成，与ASIC集成后可制作智能传感器磁耦合、非接触、抗干扰能力强、稳定性好，可在油污、灰尘、雨水等恶劣环境下工作
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供应高响应频率传感器芯片，多维传感器芯片
信息内容：一、高响应频率传感器芯片特点： 体积小 抗干扰能力强 工作温度范围宽（-55℃~125℃） 处理电路简单 测量范围广（1A~100A） 温度特性好（-0.1%/℃） 测量精度高（0.1%/FS） 灵敏度极高（12mV/V/Oe） 二、高响应频率传感器芯片特性 隧道磁电阻 ( TMR) 技术 高灵敏度 6 mV/V/Oe 低功耗 超高频率响应 >20 MHz 优越的温度稳定性 极小的磁滞 宽工作电压范围 三、隧道磁电阻效应（TMR） 基于电子的自旋效应，在磁性钉扎层和磁性自由层中间间隔有绝缘体或半导体的非磁层的磁性多层膜结构，由于在磁性钉扎层和磁性自由层之间的电流通过基于电子的隧穿效应，因此称这一多层膜结构称为磁性隧道结。这种磁性隧道结在横跨绝缘层的电压作用下，其隧道电流和隧道电阻依赖于两个铁磁层（磁性钉扎层和磁性自由层）磁化强度的相对取向。当磁性自由层在外场的作用下，其磁化强度方向改变，而钉扎层的磁化方向不变，此时两个磁性层的磁化强度相对取向发生改变，则可在横跨绝缘层的的磁性隧道结上观测到大的电阻变化，这一物理效应正是基于电子在绝缘层的隧穿效应，因此称为隧道磁电阻效应。也就是说TMR磁传感器是利用磁场的变化来...
供应磁性传感器芯片，多维生产MMLP57F系列传感器
信息内容：一、磁性传感器芯片应用介绍： 被测磁场方向平行于TMR芯片灵敏方向，被测电流Ip流经的电流线为U形铜导线，两个TMR芯片位于U形电流线的正上方，通过被测电流Ip后，U型线两臂正上方的同一位置产生方向相反、大小相同的磁场强度B。两TMR芯片分别感应U形线两臂产生的磁场B，经过简单的差分电路既可将两TMR芯片的输出信号放大取出，得到最终的输出信号Vout。 性能比较： Hall TMR 灵敏度 0.1mV/V/Oe 12mV/V/Oe 线性度 2% 0.4% 温度系数 -1.6%/℃ -0.1%/℃ 是否需要磁环 必须要 不需 二、磁性传感器芯片特性 隧道磁电阻 ( TMR) 技术 高灵敏度 6 mV/V/Oe 低功耗 超高频率响应 >20 MHz 优越的温度稳定性 极小的磁滞 宽工作电压范围 三、TMR器件及其制造工艺 实际的TMR器件及其制造工艺要远比以上三层膜结构复杂，但是就磁性传感器的应用来讲，我们可以认为TMR传感器就是一个电阻，只是TMR传感器的电阻值随外加磁场值的变化，其阻值发生改变，并且这种改变对于氧化铝Al2O3可达30～50%，对于氧化镁MgO可达200%，因此其输出相当可观，灵敏度非常高．正是由于TMR的这些优点，TMR已经在硬盘磁头这一对工作稳定性等各项性能要求...
