供应位置传感器芯片，高灵敏度传感器芯片MMLP57H系列
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMLP57H | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、TMR磁传感器器件, 与现有的AMR、GMR、霍尔器件相比，具有：
响应频率高，可达GHz以上
精度高，灵敏度高、信噪比好、分辨率高、线性好、线性范围宽
功耗更低，电阻率大、工作电流小，工作电压低
温度稳定性好，工作温度范围宽，可达200摄氏度
体积小，工艺性好，便于与现有的半导体芯片工艺集成，与ASIC集成后可制作智能传感器磁耦合、非接触、抗干扰能力强、稳定性好，可在油污、灰尘、雨水等恶劣环境下工作
二、位置传感器芯片特性
隧道磁电阻 ( TMR) 技术
高灵敏度 3 mV/V/Oe
低功耗
超高频率响应 >20 MHz
优越的温度稳定性
极小的磁滞
宽工作电压范围
三、位置传感器芯片典型应用
电流传感器
磁强计
地磁传感器
位置传感器
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供应TMR器件专用传感器芯片，MMLP57H系列传感器芯片
信息内容：一、传感器芯片在隧道磁电阻效应（TMR） 实际的TMR器件及其制造工艺要远比以上三层膜结构复杂，但是就磁性传感器的应用来讲，我们可以认为TMR传感器就是一个电阻，只是TMR传感器的电阻值随外加磁场值的变化，其阻值发生改变，并且这种改变对于氧化铝Al2O3可达30～50%，对于氧化镁MgO可达200%，因此其输出相当可观，灵敏度非常高．正是由于TMR的这些优点，TMR已经在硬盘磁头这一对工作稳定性等各项性能要求极高的高精技术领域取代GMR磁头,因此TMR的性能已经经受了最为严格的考验.而随着TMR磁性传感器的大规模应用,其优异的性能将随着其产业化的发展,而渗透到传感器行业方面和应用领域,为最终客户和传感器供应商创造更多的价值和提供更优的技术体验。由于TMR的优异性能，一方面将会为很多传感器应用领域提供全新的技术解决方案，另一方面，也为磁传感器生产企业提供了一个非常好的发展机遇。 二、TMR器件专用传感器芯片特性 隧道磁电阻 ( TMR) 技术 高灵敏度 3 mV/V/Oe 低功耗 超高频率响应 >20 MHz 优越的温度稳定性 极小的磁滞 宽工作电压范围 三、TMR器件专用传感器芯片典型应用 电流传感器 磁强计 地磁传感器 位置传...
供应磁性随机存储器专用传感器芯片，传感器芯片厂家
信息内容：一、TMR磁阻传感器在MRAM中的应用 磁性MEMS应用最的例子是硬盘和磁带的记录磁头。它采用了基于传感器的技术（AMR，GMR和TMR）。由于TMR技术与AMR，GMR相比，具有优势，目前硬盘已经完全采用这技术。 隧道式磁阻（TMR）是一种更新的技术，TMR代替GMR组成存储元件后，不但可以减小MOSFET的面积，而且不需要进行重复读取。 二、传感器芯片特性 隧道磁电阻 ( TMR) 技术 高灵敏度 3 mV/V/Oe 低功耗 超高频率响应 >20 MHz 优越的温度稳定性 极小的磁滞 宽工作电压范围 三、传感器芯片典型应用 电流传感器 磁强计 地磁传感器 位置传感器 心动不如行动，赶紧拿起您手中的电话，选择我们的产品，只有您的满意，才是我们的宗旨！！！ 欢迎广大新老顾客来电选购或咨询，多维科技欢迎您！ 联系方式： 1. 服务电话：0512-56366222 2. 电话：0512-56319303联系人：张先生 3. 或直接将您的意见发送到 info@dowaytech.com
