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供应非屏蔽高灵敏度TMR传感器芯片,优质传感器芯片

价 格: 面议
型号/规格:MMLP57H
品牌/商标:MDT

一、极限参数参数 符号 限值 单位
  工作电压 VCC 6 V
  存储温度 Tstg -50 ~ 150 °C
  外加磁场 B 2000 Oe(1)
  ESD (HBM)   4000 V

二、性能参数 (VCC = 1.0 V, TA = 25 °C) 参数

  工作电压 VCC 1 5 V
  工作电流 ICC 5(2) μA
  电阻值 R 200(3) kOhm
  灵敏度 SEN 在±30 Oe范围拟合 3 mV/V/Oe
  动态范围 ±70 Oe
  线性范围 非线性度<1% ±30 Oe
  失调电压 VOQ ±2.5 mV/V
  磁滞 Hys. 在±30 Oe范围拟合 0.1 %FS
  失调电压温漂 VOT H = 0 Oe ±0.005 mV/V/°C
  灵敏度温度系数 -0.1 %/°C
  使用温度 TA -40 125 °C
  频率响应 FCUT DC 20 MHz
  注:
  (1)1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。
  (2)ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。
  (3)阻值可以选择,详情请咨询江苏多维科技有限公司。

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一、隧道磁电阻(TMR)传感器典型应用  电流传感器  磁强计  地磁传感器  位置传感器   二、隧道磁电阻(TMR)传感器概述  MMLP57H采用了一个独特的半桥结构设计,包含两个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时,半桥提供分压输出,并且该输出具有良好的温度稳定性。MMLP57H性能优越,采用SOP8封装(尺寸为6 mm 5 mm 1.7 mm)形式。 三、公司介绍:  江苏多维科技有限公司是一家创新型的高科技公司,由多位欧美留学归国博士创办,提供基于先进的第四代磁传感技术——隧道磁电阻(TMR)的磁性感应芯片及其相关的应用解决方案,该芯片可用于医疗、物联网、新能源、消费电子、工业控制、汽车电子、航空航天等领域。  公司成立于2010年5月,总部位于江苏省张家港市保税区,并在美国加州、中国上海等地设有分公司,注册资本为3亿人民币,项目总投资5亿人民币。 心动不如行动,赶紧拿起您手中的电话,选择我们的产品,只有您的满意,才是我们的宗旨!!! 欢迎广大新老顾客来电选购或咨询,多维科技欢迎您! 联系方式: 1. 服务电话:0512-56366222 2. 电话:0512-56319303联系人:张先生 ...

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