供应高灵敏度传感器芯片，优质传感器芯片厂家直销
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMLP57H | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、高灵敏度传感器芯片应用介绍：
被测磁场平行于TMR元件灵敏方向，磁环聚集了被测电流产生的磁场，在缺口处，TMR元件感应到该磁场，使二次线圈产生电流和磁场，二次线圈又反作用于磁环，使磁环内等效场为零。TMR支撑着整个应用的磁场平衡。在该应用中，TMR元件可直接替代现行的hall闭环式电流传感器内的hall元件。
二、高灵敏度传感器芯片性能参数 (VCC = 1.0 V, TA = 25 °C) 参数：
工作电压 VCC 1 5 V
工作电流 ICC 5(2) μA
电阻值 R 200(3) kOhm
灵敏度 SEN 在±30 Oe范围拟合 3 mV/V/Oe
动态范围 ±70 Oe
线性范围 非线性度<1% ±30 Oe
失调电压 VOQ ±2.5 mV/V
磁滞 Hys. 在±30 Oe范围拟合 0.1 %FS
失调电压温漂 VOT H = 0 Oe ±0.005 mV/V/°C
灵敏度温度系数 -0.1 %/°C
使用温度 TA -40 125 °C
频率响应 FCUT DC 20 MHz
注：
（1）1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。
（2）ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。
（3）阻值可以选择，详情请咨询江苏多维科技有限公司。
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供应高灵敏度3mV/V/Oe电流传感器芯片，多维厂家热销
信息内容：一、电流传感器芯片特点： 抗干扰能力强 成本低 -3dB带宽宽 测量范围广（1A~1000A） 温度特性好 测量精度高（0.1%/FS） 工作温度范围宽（-55℃~125℃） 二、电流传感器芯片性能参数 (VCC = 1.0 V, TA = 25 °C) 参数： 工作电压 VCC 1 5 V 工作电流 ICC 5(2) μA 电阻值 R 200(3) kOhm 灵敏度 SEN 在±30 Oe范围拟合 3 mV/V/Oe 动态范围 ±70 Oe 线性范围 非线性度<1% ±30 Oe 失调电压 VOQ ±2.5 mV/V 磁滞 Hys. 在±30 Oe范围拟合 0.1 %FS 失调电压温漂 VOT H = 0 Oe ±0.005 mV/V/°C 灵敏度温度系数 -0.1 %/°C 使用温度 TA -40 125 °C 频率响应 FCUT DC 20 MHz 注： （1）1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。 （2）ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。 （3）阻值可以选择，详情请咨询江苏多维科技有限公司。 心动不如行动，赶紧拿起您手中的电话，选择我们的产品，只有您的满意，才是我们的宗旨！！！ 欢迎广大新老顾客来电选购或咨询，多维科技欢迎您！ 联系方式： 1. 服务电话：0512-56366222 2. 电话...
供应开环穿芯式电流传感器芯片，多维传感器芯片热销
信息内容：一、TMR线性传感器芯片作为开环穿芯式电流传感器的应用特点： 测量范围广（10A~1000A） 温度特性好（-0.1%/℃） 测量精度高（0.1%/FS） 灵敏度高（6mV/V/Oe） 抗干扰能力强 成本低 处理电路简单 工作温度范围宽（-55℃~125℃） 二、开环穿芯式电流传感器芯片性能参数 (VCC = 1.0 V, TA = 25 °C) 参数： 工作电压 VCC 1 5 V 工作电流 ICC 5(2) μA 电阻值 R 200(3) kOhm 灵敏度 SEN 在±30 Oe范围拟合 3 mV/V/Oe 动态范围 ±70 Oe 线性范围 非线性度<1% ±30 Oe 失调电压 VOQ ±2.5 mV/V 磁滞 Hys. 在±30 Oe范围拟合 0.1 %FS 失调电压温漂 VOT H = 0 Oe ±0.005 mV/V/°C 灵敏度温度系数 -0.1 %/°C 使用温度 TA -40 125 °C 频率响应 FCUT DC 20 MHz 注： （1）1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。 （2）ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。 （3）阻值可以选择，详情请咨询江苏多维科技有限公司。 心动不如行动，赶紧拿起您手中的电话，选择我们的产品，只有您的满意，才是我们的宗旨！！！ 欢迎广大新老顾客来电选购或咨...
