供应位置传感器低功耗传感器芯片，多维直销传感器
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMLP57H | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、TMR磁阻传感器在汽车传感器中的应用
磁传感器是传感器的一个重要组成部分，广泛地应用在许多领域中。其中，在汽车领域占据70%以上份额。磁传感器在汽车中主要被用于车速、倾角、角度、距离、位置等参数检测以及导航、定位等方面的应用，比如车速测量、踏板位置、变速箱位置、电机旋转、助力扭矩测量、曲轴位置、凸轮位置，倾角测量、电子导航、防抱死检测、泊车定位等等。
二、性能参数 (VCC = 1.0 V, TA = 25 °C) 参数：
工作电压 VCC 1 5 V
工作电流 ICC 5(2) μA
电阻值 R 200(3) kOhm
灵敏度 SEN 在±30 Oe范围拟合 3 mV/V/Oe
动态范围 ±70 Oe
线性范围 非线性度<1% ±30 Oe
失调电压 VOQ ±2.5 mV/V
磁滞 Hys. 在±30 Oe范围拟合 0.1 %FS
失调电压温漂 VOT H = 0 Oe ±0.005 mV/V/°C
灵敏度温度系数 -0.1 %/°C
使用温度 TA -40 125 °C
频率响应 FCUT DC 20 MHz
注：
（1）1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。
（2）ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。
（3）阻值可以选择，详情请咨询江苏多维科技有限公司。
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供应传感器芯片厂家，线性度好，MMLP57H系列芯片
信息内容：一、MMLP57H系列芯片在接近开关中应用： 接近开关：接近开关又称无触点开关，可以完成行程控制和限位保护，是一种非接触型的检测装置，用作检测距离和测速等。利用霍尔传感器做成的接近开关，当磁性物体移近霍尔开关时，开关检测面上的霍尔元件由于霍尔效应而使开关内部电路状态发生变化，由此来判断物体。由于霍尔元件信号范围小，灵敏度低，对于长距离不敏感。TMR磁传感器的特性，刚好解决了霍尔元件的灵敏度低等缺点，用TMR磁传感器做成的接近开关可以应用在长距离检测和特殊环境的测速。 二、MMLP57H系列芯片性能参数 (VCC = 1.0 V, TA = 25 °C) 参数： 工作电压 VCC 1 5 V 工作电流 ICC 5(2) μA 电阻值 R 200(3) kOhm 灵敏度 SEN 在±30 Oe范围拟合 3 mV/V/Oe 动态范围 ±70 Oe 线性范围 非线性度<1% ±30 Oe 失调电压 VOQ ±2.5 mV/V 磁滞 Hys. 在±30 Oe范围拟合 0.1 %FS 失调电压温漂 VOT H = 0 Oe ±0.005 mV/V/°C 灵敏度温度系数 -0.1 %/°C 使用温度 TA -40 125 °C 频率响应 FCUT DC 20 MHz 注： （1）1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。 （2）ICC = VCC/R, 工作电...
供应隧道磁电阻TMR传感器芯片，MMLP57H系列传感器
信息内容：一、隧道磁电阻TMR传感器芯片在工业控制中的应用 电流传感器：常用的电流测量装置一般采用霍尔元件作为传感器单元，通过被测电流产生的磁场大小来实现对电流的测量。目前也有采用AMR和GMR作为传感器单元，其原理和霍尔元件相同，都是通过被测电流产生的磁场来实现对电流的测量。霍尔元件由于灵敏度低，通常采用铁磁材料通过磁聚效应来提高精度。TMR磁传感器由于灵敏度高，线性度好，动态范围宽，精度高，温度特性好。不需要铁磁材料，能减少电流传感器体积，降低成本。 二、隧道磁电阻TMR传感器芯片性能 (VCC = 1.0 V, TA = 25 °C) 参数： 工作电压 VCC 1 5 V 工作电流 ICC 5(2) μA 电阻值 R 200(3) kOhm 灵敏度 SEN 在±30 Oe范围拟合 3 mV/V/Oe 动态范围 ±70 Oe 线性范围 非线性度<1% ±30 Oe 失调电压 VOQ ±2.5 mV/V 磁滞 Hys. 在±30 Oe范围拟合 0.1 %FS 失调电压温漂 VOT H = 0 Oe ±0.005 mV/V/°C 灵敏度温度系数 -0.1 %/°C 使用温度 TA -40 125 °C 频率响应 FCUT DC 20 MHz 注： （1）1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。 （2）ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系...
