供应灵敏度±30 Oe传感器芯片，MMLP57H系列传感器
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMLP57H | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、MMLP57H系列传感器性能 (VCC = 1.0 V, TA = 25 °C) 参数：
工作电压 VCC 1 5 V
工作电流 ICC 5(2) μA
电阻值 R 200(3) kOhm
灵敏度 SEN 在±30 Oe范围拟合 3 mV/V/Oe
动态范围 ±70 Oe
线性范围 非线性度<1% ±30 Oe
失调电压 VOQ ±2.5 mV/V
磁滞 Hys. 在±30 Oe范围拟合 0.1 %FS
失调电压温漂 VOT H = 0 Oe ±0.005 mV/V/°C
灵敏度温度系数 -0.1 %/°C
使用温度 TA -40 125 °C
频率响应 FCUT DC 20 MHz
注：
（1）1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。
（2）ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。
（3）阻值可以选择，详情请咨询江苏多维科技有限公司。
二、公司介绍：
公司成立于2010年5月，总部位于江苏省张家港市保税区，并在美国加州、中国上海等地设有分公司，注册资本为3亿人民币，项目总投资5亿人民币。
多维科技拥有的磁传感芯片的制造设备，拥有多项自主知识产权和核心技术，并不断地完善和扩展所涉及的核心技术和知识产权。
公司主要成员拥有丰富的磁性传感芯片及传感器产业经验，将矢志不渝地把多维发展成为世界、产品性能、供货质量稳定的磁传感芯片供应商作为企业发展的目标，服务于磁性传感器行业，并计划在企业设立的研发中心，建立传感器产业园，发挥产业集聚效应，为社会创造更大的价值。
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供应低功耗，大电阻率TMR磁传感器芯片，多维传感器
信息内容：一、TMR磁传感器器件优点： 响应频率高，可达GHz以上 精度高，灵敏度高、信噪比好、分辨率高、线性好、线性范围宽 功耗更低，电阻率大、工作电流小，工作电压低 温度稳定性好，工作温度范围宽，可达200摄氏度 体积小，工艺性好，便于与现有的半导体芯片工艺集成，与ASIC集成后可制作智能传感器磁耦合、非接触、抗干扰能力强、稳定性好，可在油污、灰尘、雨水等恶劣环境下工作 二、TMR磁传感器芯片性能参数 (VCC = 1.0 V, TA = 25 °C) 参数： 工作电压 VCC 1 5 V 工作电流 ICC 5(2) μA 电阻值 R 200(3) kOhm 灵敏度 SEN 在±30 Oe范围拟合 3 mV/V/Oe 动态范围 ±70 Oe 线性范围 非线性度<1% ±30 Oe 失调电压 VOQ ±2.5 mV/V 磁滞 Hys. 在±30 Oe范围拟合 0.1 %FS 失调电压温漂 VOT H = 0 Oe ±0.005 mV/V/°C 灵敏度温度系数 -0.1 %/°C 使用温度 TA -40 125 °C 频率响应 FCUT DC 20 MHz 注： （1）1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。 （2）ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。 （3）阻值可以选择，详情请咨询江苏多维科技有限公司。 心动不如行...
供应低功耗超高频率响应传感器芯片，优质传感器直销
信息内容：一、TMR器件及其制造工艺：要远比以上三层膜结构复杂，但是就磁性传感器的应用来讲，我们可以认为TMR传感器就是一个电阻，只是TMR传感器的电阻值随外加磁场值的变化，其阻值发生改变，并且这种改变对于氧化铝Al2O3可达30～50%，对于氧化镁MgO可达200%，因此其输出相当可观，灵敏度非常高．正是由于TMR的这些优点，TMR已经在硬盘磁头这一对工作稳定性等各项性能要求极高的高精技术领域取代GMR磁头,因此TMR的性能已经经受了最为严格的考验.而随着TMR磁性传感器的大规模应用,其优异的性能将随着其产业化的发展,而渗透到传感器行业方面和应用领域,为最终客户和传感器供应商创造更多的价值和提供更优的技术体验。由于TMR的优异性能，一方面将会为很多传感器应用领域提供全新的技术解决方案，另一方面，也为磁传感器生产企业提供了一个非常好的发展机遇。 二、性能参数 (VCC = 1.0 V, TA = 25 °C) 参数： 工作电压 VCC 1 5 V 工作电流 ICC 5(2) μA 电阻值 R 200(3) kOhm 灵敏度 SEN 在±30 Oe范围拟合 3 mV/V/Oe 动态范围 ±70 Oe 线性范围 非线性度<1% ±30 Oe 失调电压 VOQ ±2.5 mV/V 磁滞 Hys. 在±30 Oe范围拟合 0.1 %FS 失调电压温漂 VO...
