供应MBR10100，代理美国福斯特MBR10100肖特基二极管
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MBR10100 | |
| 品牌/商标： | 美国FIRST | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | Tube | |
| 功率特性： | | |
| 频率特性： | | |
| 整流电流： | A | |
| 反向电压： | V |
肖特基二极管和快恢复二极管区别：
前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒~！
前者的优点还有低功耗，大电流，超高速~！电气特性当然都是二极管阿~！
快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。
凌云国际股份有限公司成立於2000年，总部位於香港，是国际知名的电子元件独立分销商。公司在香港、深圳、北京、苏州、山东、重庆、福建等地设有办事处，专注於为世界500强等电子企业提供优势的电子元件代理分销服务，并成为全球众多知名客户的合作夥伴。
我们不仅致力从事半导体代理分销业务，亦为半导体客户提供的方案设计和技术支持，以满足客户各项独特的需求，强化客户在市场竞争中的优势。
凌云国际股份有限公司十多年来一直保持着的行业品质标准，将是你的选择！
我公司供应的肖特基主要型号有：
MBR1040 TO-220 美FIRST
MBR1045 TO-220 美FIRST
MBR10100 TO-220 美FIRST
MBR10150 TO-220 美FIRST
MBR10200 TO-220 美FIRST
MBR2040 TO-220 美FIRST
MBR2045 TO-220 美FIRST
MBR20100 TO-220 美FIRST
MBR20150 TO-220 美FIRST
MBR20200 TO-220 美FIRST
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供应场效应管2N60，美国FIRST场效应管2N60
信息内容：场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以门极与沟道间的pn结形成的反偏的门极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。 在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。 凌云国际股份有限公司成立於2000年，总部位於香港，8年来公司业务发展迅速，已发展成为一家的的电...
供应场效应管5N60，代理美国FIRST场效应管5N60
信息内容：场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以门极与沟道间的pn结形成的反偏的门极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。 在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。 凌云国际股份有限公司成立於2000年，总部位於香港，8年来公司业务发展迅速，已发展成为一家的的电...
