一、无损探伤专用传感器介绍:
MMS103H是一款集成了磁隧道结(TMR)传感器和CMOS技术,为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极锁存型磁开关。MMS103H芯片内含有高精度推挽式半桥TMR磁传感器和CMOS集成电路,包括TMR电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路,能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。MMS103H通过内部电压稳压器来提供温度补偿,并允许宽的工作电压范围。MMS103H以低电压工作、极高响应频率、微安级的供电电流、宽的工作温度范围成为众多低功耗应用的理想选择。
二、无损探伤应用
无损探伤作为现代大工业的一个重要基础,对于现代工业的安全生产具有重要作用。常用的与磁相关的无损检测技术手段包括有漏磁检测,涡流检测,脉冲涡流检测,由于涡流检测具有速度快,效率高,可在线监测的特点,因此在现有的航空工业、锅炉检测、石油化工管道等缺陷探伤中具有重要应用。而TMR磁性传感器,由于其所具有的高灵敏度,高响应频率,高信噪比的特点,作为磁性传感器应用于无损探伤,将有效的提高无损探伤的水平和技术能力,并拓宽其应用范围,对大型设备的可靠性和安全生产具有重要意义。
三、产品特点:
1.隧道磁电阻 (TMR) 技术
2.双极锁存型开关
3.高灵敏度,低开关点
4.超低功耗
5.宽工作电压范围
6.卓越的温度稳定性
7.极高的频率响应
8.优良的ESD防护性能
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一、产品介绍: MMS103H是一款集成了磁隧道结(TMR)传感器和CMOS技术,为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极锁存型磁开关。MMS103H芯片内含有高精度推挽式半桥TMR磁传感器和CMOS集成电路,包括TMR电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路,能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。MMS103H通过内部电压稳压器来提供温度补偿,并允许宽的工作电压范围。MMS103H以低电压工作、极高响应频率、微安级的供电电流、宽的工作温度范围成为众多低功耗应用的理想选择。 二、产品特点: 1.隧道磁电阻 (TMR) 技术 2.双极锁存型开关 3.高灵敏度,低开关点 4.超低功耗 5.宽工作电压范围 6.卓越的温度稳定性 7.极高的频率响应 8.优良的ESD防护性能 三、TMR磁阻传感器在MRAM中的应用 磁性MEMS应用最的例子是硬盘和磁带的记录磁头。它采用了基于传感器的技术(AMR,GMR和TMR)。由于TMR技术与AMR,GMR相比,具有优势,目前硬盘已经完全采用这技术。 隧道式磁阻(TMR)是一种更新的技术,TMR代替GMR组成存储元件后,不但可以减小MOSFET的面积,而且不需要进行重复读取。 心动不如行动,赶紧拿起您手中的电话,选...
一、MMS103H磁隧道结(TMR)传感器介绍: MMS103H是一款集成了磁隧道结(TMR)传感器和CMOS技术,为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极锁存型磁开关。MMS103H芯片内含有高精度推挽式半桥TMR磁传感器和CMOS集成电路,包括TMR电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路,能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。MMS103H通过内部电压稳压器来提供温度补偿,并允许宽的工作电压范围。MMS103H以低电压工作、极高响应频率、微安级的供电电流、宽的工作温度范围成为众多低功耗应用的理想选择。 二、MMS103H磁隧道结(TMR)传感器特点: 1.隧道磁电阻 (TMR) 技术 2.双极锁存型开关 3.高灵敏度,低开关点 4.超低功耗 5.宽工作电压范围 6.卓越的温度稳定性 7.极高的频率响应 8.优良的ESD防护性能 三、TMR磁阻传感器在MRAM中的应用 MRAM是一种非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。MRAM是一种非挥发性的磁性随机存储器,所谓“非挥发性”是指关掉电源后,仍可以保持记忆完整,功能与FLASH雷同;而“随...