供应TMR器件传感器，MMS103H系列磁性传感器
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMS103H | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、TMR器件传感器介绍：
MMS103H是一款集成了磁隧道结（TMR）传感器和CMOS技术，为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极锁存型磁开关。MMS103H芯片内含有高精度推挽式半桥TMR磁传感器和CMOS集成电路，包括TMR电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。MMS103H通过内部电压稳压器来提供温度补偿，并允许宽的工作电压范围。MMS103H以低电压工作、极高响应频率、微安级的供电电流、宽的工作温度范围成为众多低功耗应用的理想选择。
二、TMR器件传感器：
实际的TMR器件及其制造工艺要远比以上三层膜结构复杂，但是就磁性传感器的应用来讲，我们可以认为TMR传感器就是一个电阻，只是TMR传感器的电阻值随外加磁场值的变化，其阻值发生改变，并且这种改变对于氧化铝Al2O3可达30～50%，对于氧化镁MgO可达200%，因此其输出相当可观，灵敏度非常高．正是由于TMR的这些优点，TMR已经在硬盘磁头这一对工作稳定性等各项性能要求极高的高精技术领域取代GMR磁头,因此TMR的性能已经经受了最为严格的考验.而随着TMR磁性传感器的大规模应用,其优异的性能将随着其产业化的发展,而渗透到传感器行业方面和应用领域,为最终客户和传感器供应商创造更多的价值和提供更优的技术体验。由于TMR的优异性能，一方面将会为很多传感器应用领域提供全新的技术解决方案，另一方面，也为磁传感器生产企业提供了一个非常好的发展机遇。
三、TMR器件传感器特点：
1.隧道磁电阻 (TMR) 技术
2.双极锁存型开关
3.高灵敏度，低开关点
4.超低功耗
5.宽工作电压范围
6.卓越的温度稳定性
7.极高的频率响应
8.优良的ESD防护性能
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供应高分辨率传感器，MMS103H TMR传感器厂家
信息内容：一、高分辨率传感器介绍： MMS103H是一款集成了磁隧道结（TMR）传感器和CMOS技术，为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极锁存型磁开关。MMS103H芯片内含有高精度推挽式半桥TMR磁传感器和CMOS集成电路，包括TMR电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。MMS103H通过内部电压稳压器来提供温度补偿，并允许宽的工作电压范围。MMS103H以低电压工作、极高响应频率、微安级的供电电流、宽的工作温度范围成为众多低功耗应用的理想选择。 二、高分辨率传感器应用： 磁传感器在消费电子类产品，如手机、笔记本电脑、电子玩具、电子罗盘中也有非常广泛的应用。未来磁传感器在消费电子市场将有较大的成长，MEMS传感器与磁传感器在应用中互相促进，对推动这一趋势有一定贡献。虽然磁阻传感器发展历程已经很漫长，技术相对成熟，但仅作为电子罗盘的单独应用，在以前并不被人们很看好，而现在它与MEMS的结合，会在导航市场成为一个亮点。 三、高分辨率传感器特点： 1.隧道磁电阻 (TMR) 技术 2.双极锁存型开关 3.高灵敏度，低开关点 4.超低功耗 5.宽工作电压范围 6.卓越的温度稳定性 ...
供应MMS103H超低功耗传感器，优质传感器厂家热销
信息内容：一、超低功耗传感器介绍： MMS103H是一款集成了磁隧道结（TMR）传感器和CMOS技术，为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极锁存型磁开关。MMS103H芯片内含有高精度推挽式半桥TMR磁传感器和CMOS集成电路，包括TMR电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。MMS103H通过内部电压稳压器来提供温度补偿，并允许宽的工作电压范围。MMS103H以低电压工作、极高响应频率、微安级的供电电流、宽的工作温度范围成为众多低功耗应用的理想选择。 二、产品发展前景： 近些年手机、GPS市场的发展带动了对导航功能的需求。在这些应用中，由于具备功能优势，MEMS与磁传感器集成的产品预计会越来越受到欢迎。除了导航之外，手机功能的增多也促使磁传感器在手机上的应用越来越广泛，特别是在智能手机中。在智能手机系统中，磁阻传感器结合其他MEMS传感器的应用，可以在GPS系统中发挥更多的导航作用。除此之外，磁传感器在GPS便携产品和运动手表等消费市场发展很快，今后在消费电子中应用类型会更多，功能也会更加强大。 三、超低功耗传感器特点： 1.隧道磁电阻 (TMR) 技术 2.双极锁存型开关 3.高灵敏度...
