供应医疗专用MMS103H传感器，优质传感器厂家
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMS103H | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、四代磁性传感技术
代：Hall Effect Sensor--霍尔效应传感器
第二代：AMR (Anisotropic Magneto Resistance) Sensor--各向异性磁电阻传感器
第三代：GMR (Giant Magneto Resistance) Sensor--巨磁电阻传感器
第四代：TMR (Tunneling Magneto Resistance) Sensor--隧道磁电阻传感器
二、MMS103H传感器应用指南
当平行于传感器敏感方向的磁场超过工作点门限BOP时，MMS103H输出低电平。当平行于传感器敏感方向的磁场低于释放点门限BRP时，MMS103H输出高电平。磁场工作点和释放点的差值就是传感器的回差BH。
为了降低外部噪音，推荐在传感器电源和地之间增加一个滤波电容（靠近传感器）。如应用电路图所示，典型值为0.1μF。
三、公司简介：
我司是一家创新型的高科技公司，由多位欧美留学归国博士创办，提供基于先进的第四代磁传感技术--隧道磁电阻（TMR）的磁性感应芯片及其相关的应用解决方案，该芯片可用于医疗、物联网、新能源、消费电子、工业控制、汽车电子、航空航天等领域。
本公司成立于2010年5月，总部位于江苏省张家港市保税区，并在美国加州、中国上海等地设有分公司，注册资本为3亿人民币，项目总投资5亿人民币。
我司拥有的磁传感芯片的制造设备，拥有多项自主知识产权和核心技术，并不断地完善和扩展所涉及的核心技术和知识产权。
本公司主要成员拥有丰富的磁性传感芯片及传感器产业经验，将矢志不渝地把多维发展成为世界、产品性能、供货质量稳定的磁传感芯片供应商作为企业发展的目标，服务于磁性传感器行业，并计划在企业设立的研发中心，建立传感器产业园，发挥产业集聚效应，为社会创造更大的价值。
四、MMS103H传感器产概述：
在各类传感器中，有一种对接近它物件有“感知”能力的元件--位移传感器。这类传感器不需要接触到被检测物体，当有物体移向位移传感器，并接近到一定距离时，位移传感器就有“感知”，通常把这个距离叫“检出距离”。利用位移传感器对接近物体的敏感特性制作的开关，就是接近开关。 不同的传感器检出距离也不同。有时被检测验物体是按一定的时间间隔，一个接一个地移动，又一个一个地离开，这样不断地重复。不同的传感器元件，对检测对象的响应能力是不同的。这种响应特性被称为“响应频率”。
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供应气表专用超低功耗传感器，优质开关传感器
信息内容：一、超低功耗传感器安装方式： 1.水平磁化的长条或圆柱形磁铁。磁阻传感器放置与磁铁同一水平面。磁铁旋转，磁阻传感器感应磁场变化，输出占空比为50%的方波信号。 2.水平磁化的长条或圆柱形磁铁。磁阻传感器放置于磁铁上表面。磁铁旋转，磁阻传感器感应磁场变化，输出占空比为50%的方波信号。 3.磁阻传感器放置于磁铁侧面，磁阻传感器敏感轴如图所示。磁铁旋转，磁阻传感器感应磁场变化输出占空比为50%的方波信号。 4.磁阻传感器放置于磁铁上表面，磁阻传感器敏感轴如图所示。磁铁旋转，磁阻传感器感应磁场变化，输出占空比为50%的方波信号。 5.圆柱形磁铁，对称放置于圆圈的两侧。磁阻传感器放置于中心位置。磁铁沿圆心旋转，磁铁旋转，磁阻传感器感应磁场变化，输出占空比为50%的方波信号。 6.圆柱形磁铁，对称放置于旋转轴的两侧。磁阻传感器如图所示放置。磁铁沿虚线做旋转，磁铁旋转，磁阻传感器感应磁场变化，输出占空比为50%的方波信号。 7.圆柱形磁铁（N极或S极），磁阻传感器如图所示放置。磁铁沿虚线做旋转，磁铁旋转，磁阻传感器感应磁场变化，根据旋转半径大小，输出不同占空比的方波信号。 二、超低功耗传感器应用指南 当平行于传...
供应MMS103H传感器，开关传感器厂家直销
信息内容：一、MMS103H传感器的分辨率 分辨率是指传感器可感受到的被测量的最小变化的能力。也就是说，如果输入量从某一非零值缓慢地变化。当输入变化值未超过某一数值时，传感器的输出不会发生变化，即传感器对此输入量的变化是分辨不出来的。只有当输入量的变化超过分辨率时，其输出才会发生变化。 通常传感器在满量程范围内各点的分辨率并不相同，因此常用满量程中能使输出量产生阶跃变化的输入量中的变化值作为衡量分辨率的指标。上述指标若用满量程的百分比表示，则称为分辨率。分辨率与传感器的稳定性有负相相关性。 二、MMS103H传感器应用指南 当平行于传感器敏感方向的磁场超过工作点门限BOP时，MMS103H输出低电平。当平行于传感器敏感方向的磁场低于释放点门限BRP时，MMS103H输出高电平。磁场工作点和释放点的差值就是传感器的回差BH。 为了降低外部噪音，推荐在传感器电源和地之间增加一个滤波电容（靠近传感器）。如应用电路图所示，典型值为0.1μF。 三、公司简介： 我司是一家创新型的高科技公司，由多位欧美留学归国博士创办，提供基于先进的第四代磁传感技术--隧道磁电阻（TMR）的磁性感应芯片及其相关的应用解决方案，该芯片可用于医疗、物联...
