一、磁阻传感器MMS103H静态特性
传感器的静态特性是指对静态的输入信号,传感器的输出量与输入量之间所具有相互关系。因为这时输入量和输出量都和时间无关,所以它们之间的关系,即传感器的静态特性可用一个不含时间变量的代数方程,或以输入量作横坐标,把与其对应的输出量作纵坐标而画出的特性曲线来描述。表征传感器静态特性的主要参数有:线性度、灵敏度、迟滞、重复性、漂移等。
二、磁阻传感器MMS103H应用方案特点
1.极高的频率响应(可以直接测量叶轮转速)
2. 极低的功耗(满足流量计低功耗需求)
3.极高的灵敏度(可减少叶轮磁钢磁场强度,降低对安装位置的要求)
4.标准的高低电平方波输出(可直接连接处理器,提高系统的可靠性)
5. 锁存式工作方式(有效避免叶轮抖动问题)
6.极低的起始流量测量(可以测量微小流量)
7.良好的抗磁干扰能力(可降低磁屏蔽的要求)
三、磁阻传感器MMS103H应用指南
当平行于传感器敏感方向的磁场超过工作点门限BOP时,MMS103H输出低电平。当平行于传感器敏感方向的磁场低于释放点门限BRP时,MMS103H输出高电平。磁场工作点和释放点的差值就是传感器的回差BH。
为了降低外部噪音,推荐在传感器电源和地之间增加一个滤波电容(靠近传感器)。如应用电路图所示,典型值为0.1μF。
四、霍尔式传感器
当一块通有电流的金属或半导体薄片垂直地放在磁场中时,薄片的两端就会产生电位差,这种现象就称为霍尔效应。两端具有的电位差值称为霍尔电势U,其表达式为U=K·I·B/d,其中K为霍尔系数,I为薄片中通过的电流,B为外加磁场(洛伦慈力Lorrentz)的磁感应强度,d是薄片的厚度。
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一、MMS103H传感器特点: 1.隧道磁电阻 (TMR) 技术 2.双极锁存型开关 3.高灵敏度,低开关点 4.超低功耗 5.宽工作电压范围 6.卓越的温度稳定性 7.极高的频率响应 8.优良的ESD防护性能 二、MMS103H传感器应用指南 当平行于传感器敏感方向的磁场超过工作点门限BOP时,MMS103H输出低电平。当平行于传感器敏感方向的磁场低于释放点门限BRP时,MMS103H输出高电平。磁场工作点和释放点的差值就是传感器的回差BH。 为了降低外部噪音,推荐在传感器电源和地之间增加一个滤波电容(靠近传感器)。如应用电路图所示,典型值为0.1μF。 三、产品概述: 在各类传感器中,有一种对接近它物件有“感知”能力的元件--位移传感器。这类传感器不需要接触到被检测物体,当有物体移向位移传感器,并接近到一定距离时,位移传感器就有“感知”,通常把这个距离叫“检出距离”。利用位移传感器对接近物体的敏感特性制作的开关,就是接近开关。 不同的传感器检出距离也不同。有时被检测验物体是按一定的时间间隔,一个接一个地移动,又一个一个地离开,这样不断地重复。不同的传感器元件,对检测对象的响应能力是不同的。这种响应特性被称为“响应频率”。...
一、产品特性: 1、非接触检测,避免了对传感器自身和目标物的损坏。 2、无触点输出,操作寿命长。 3、即使在有水或油喷溅的苛刻环境中也能稳定检测。 4、反应速度快。 5、小型感测头,安装灵活。 二、应用指南 当平行于传感器敏感方向的磁场超过工作点门限BOP时,MMS103H输出低电平。当平行于传感器敏感方向的磁场低于释放点门限BRP时,MMS103H输出高电平。磁场工作点和释放点的差值就是传感器的回差BH。 为了降低外部噪音,推荐在传感器电源和地之间增加一个滤波电容(靠近传感器)。如应用电路图所示,典型值为0.1μF。 三、产品概述: 在各类传感器中,有一种对接近它物件有“感知”能力的元件--位移传感器。这类传感器不需要接触到被检测物体,当有物体移向位移传感器,并接近到一定距离时,位移传感器就有“感知”,通常把这个距离叫“检出距离”。利用位移传感器对接近物体的敏感特性制作的开关,就是接近开关。 不同的传感器检出距离也不同。有时被检测验物体是按一定的时间间隔,一个接一个地移动,又一个一个地离开,这样不断地重复。不同的传感器元件,对检测对象的响应能力是不同的。这种响应特性被称为“响应频率”。 四...