一、极限参数
参数 符号 额定值 单位
工作电压 VCC 6 V
工作电流 ICC 20 μA
输出电压 VOUT 6 V
输出电流 IOUT 30 mA
使用温度 TA -40 ~ 125 °C
储存温度 Tstg -50 ~ 150 °C
ESD性能(HBM)VESD 4 kV
外加磁场 B 2000 Oe
二、产品特点:
1.隧道磁电阻 (TMR) 技术
2.双极锁存型开关
3.高灵敏度,低开关点
4.超低功耗
5.宽工作电压范围
6.卓越的温度稳定性
7.极高的频率响应
8.优良的ESD防护性能
三、传感器按照其制造工艺分类
集成传感器薄膜传感器 厚膜传感器陶瓷传感器
集成传感器是用标准的生产硅基半导体集成电路的工艺技术制造的。通常还将用于初步处理被测信号的部分电路也集成在同一芯片上。
薄膜传感器则是通过沉积在介质衬底(基板)上的,相应敏感材料的薄膜形成的。使用混合工艺时,同样可将部分电路制造在此基板上。
厚膜传感器是利用相应材料的浆料,涂覆在陶瓷基片上制成的,基片通常是Al2O3制成的,然后进行热处理,使厚膜成形。
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一、产品特性: 1、非接触检测,避免了对传感器自身和目标物的损坏。 2、无触点输出,操作寿命长。 3、即使在有水或油喷溅的苛刻环境中也能稳定检测。 4、反应速度快。 5、小型感测头,安装灵活。 二、应用方案特点 1.极高的频率响应(可以直接测量叶轮转速) 2. 极低的功耗(满足流量计低功耗需求) 3.极高的灵敏度(可减少叶轮磁钢磁场强度,降低对安装位置的要求) 4.标准的高低电平方波输出(可直接连接处理器,提高系统的可靠性) 5. 锁存式工作方式(有效避免叶轮抖动问题) 6.极低的起始流量测量(可以测量微小流量) 7.良好的抗磁干扰能力(可降低磁屏蔽的要求) 三、线性接近传感器 线性接近传感器是一种属于金属感应的线性器件,接通电源后,在传感器的感应面将产生一个交变磁场,当金属物体接近此感应面时,金属中则产生涡流而吸取了振荡器的能量,使振荡器输出幅度线性衰减,然后根据衰减量的变化来完成无接触检测物体的目的。 该接近传感器具有无滑动触点,工作时不受灰尘等非金属因素的影响,并且低功耗,长寿命,可使用在各种恶劣条件下。线性传感器主要应用在自动化装备生产线对模拟量的智能控制。 ...
一、产品概述: 在各类传感器中,有一种对接近它物件有“感知”能力的元件--位移传感器。这类传感器不需要接触到被检测物体,当有物体移向位移传感器,并接近到一定距离时,位移传感器就有“感知”,通常把这个距离叫“检出距离”。利用位移传感器对接近物体的敏感特性制作的开关,就是接近开关。 不同的传感器检出距离也不同。有时被检测验物体是按一定的时间间隔,一个接一个地移动,又一个一个地离开,这样不断地重复。不同的传感器元件,对检测对象的响应能力是不同的。这种响应特性被称为“响应频率”。 二、应用方案特点 1.极高的频率响应(可以直接测量叶轮转速) 2. 极低的功耗(满足流量计低功耗需求) 3.极高的灵敏度(可减少叶轮磁钢磁场强度,降低对安装位置的要求) 4.标准的高低电平方波输出(可直接连接处理器,提高系统的可靠性) 5. 锁存式工作方式(有效避免叶轮抖动问题) 6.极低的起始流量测量(可以测量微小流量) 7.良好的抗磁干扰能力(可降低磁屏蔽的要求) 三、产品特点: 1.隧道磁电阻 (TMR) 技术 2.双极锁存型开关 3.高灵敏度,低开关点 4.超低功耗 5.宽工作电压范围 6.卓越的温度稳...