一、磁电阻传感器介绍:
磁电阻(MR)效应是指在外磁场的作用下,材料的电阻率发生变化的一种物理现象。磁电阻值与饱和磁场强度的比值称为磁场灵敏度。磁电阻效应及其材料一直是凝聚态物理和材料科学领域的研究热点之一
随着科学技术的迅速发展,人们对各种电子设备的性能要求不断提高,这种市场需求推动了磁电阻的研究的发展。磁传感器主要指利用固体元件感知与磁有关的物理量的变化,从而检测出对象的状态和信息的器件。依据其物理效应的不同,磁传感器主要为超导量子干涉仪、磁通门、霍尔元件和磁电阻传感器,以及电磁感应传感器、磁弹性(应力) 传感器、温度传感器(利用居里点磁性转变)、磁光效应电流传感器、磁共振弱磁场探测等等。
二、公司简介:
我司是一家创新型的高科技公司,由多位欧美留学归国博士创办,提供基于先进的第四代磁传感技术--隧道磁电阻(TMR)的磁性感应芯片及其相关的应用解决方案,该芯片可用于医疗、物联网、新能源、消费电子、工业控制、汽车电子、航空航天等领域。
本公司成立于2010年5月,总部位于江苏省张家港市保税区,并在美国加州、中国上海等地设有分公司,注册资本为3亿人民币,项目总投资5亿人民币。
我司拥有的磁传感芯片的制造设备,拥有多项自主知识产权和核心技术,并不断地完善和扩展所涉及的核心技术和知识产权。
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一、应用指南 当平行于传感器敏感方向的磁场超过工作点门限BOP时,MMS105H输出低电平。当平行于传感器敏感方向的磁场低于释放点门限BRP时,MMS105H输出高电平。磁场工作点和释放点的差值就是传感器的回差BH。 为了降低外部噪音,推荐在传感器电源和地之间增加一个滤波电容(靠近传感器)。如应用电路图所示,典型值为0.1μF。 二、磁电阻传感器介绍: 磁电阻(MR)效应是指在外磁场的作用下,材料的电阻率发生变化的一种物理现象。磁电阻值与饱和磁场强度的比值称为磁场灵敏度。磁电阻效应及其材料一直是凝聚态物理和材料科学领域的研究热点之一 随着科学技术的迅速发展,人们对各种电子设备的性能要求不断提高,这种市场需求推动了磁电阻的研究的发展。磁传感器主要指利用固体元件感知与磁有关的物理量的变化,从而检测出对象的状态和信息的器件。依据其物理效应的不同,磁传感器主要为超导量子干涉仪、磁通门、霍尔元件和磁电阻传感器,以及电磁感应传感器、磁弹性(应力) 传感器、温度传感器(利用居里点磁性转变)、磁光效应电流传感器、磁共振弱磁场探测等等。 心动不如行动,赶紧拿起您手中的电话,选择我们的产品,只有您的满意,才是我们的宗旨!...
一、极限参数 参数 符号 额定值 单位 工作电压 VCC 6 V 工作电流 ICC 20 μA 输出电压 VOUT 6 V 输出电流 IOUT 30 mA 使用温度 TA -40 ~ 125 °C 储存温度 Tstg -50 ~ 150 °C ESD性能(HBM)VESD 4 kV 外加磁场 B 2000 Oe 二、磁电阻传感器介绍: 磁电阻(MR)效应是指在外磁场的作用下,材料的电阻率发生变化的一种物理现象。磁电阻值与饱和磁场强度的比值称为磁场灵敏度。磁电阻效应及其材料一直是凝聚态物理和材料科学领域的研究热点之一 随着科学技术的迅速发展,人们对各种电子设备的性能要求不断提高,这种市场需求推动了磁电阻的研究的发展。磁传感器主要指利用固体元件感知与磁有关的物理量的变化,从而检测出对象的状态和信息的器件。依据其物理效应的不同,磁传感器主要为超导量子干涉仪、磁通门、霍尔元件和磁电阻传感器,以及电磁感应传感器、磁弹性(应力) 传感器、温度传感器(利用居里点磁性转变)、磁光效应电流传感器、磁共振弱磁场探测等等。 心动不如行动,...